[实用新型]一种晶圆吸盘保护装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造设备，特别是涉及一种晶圆吸盘保护装置。

背景技术

在半导体制程中，晶圆的刻蚀伴随着半导体制程的各个阶段，晶圆的刻蚀工艺通常使用含有环形保护装置的刻蚀机台，例如Lam94或Lam96等。该类型的刻蚀机台使用环形保护装置保护晶圆吸盘（ESC）。所述晶圆吸盘保护装置如图1所示，图1表示的是现有技术的晶圆吸盘保护装置的剖面示意图，图2表示的是现有技术的晶圆吸盘保护装置的俯视透视示意图。离子束轰击环形保护装置11时，使得该环形保护装置产生凹槽A（图1中的区域A），当所述凹槽A被轰击的足够宽时，离子束又会穿过所述凹槽A轰击晶圆吸盘10的边缘。当刻蚀工艺进行多次之后，为了使得所述晶圆吸盘不受损伤，不得不更换所述环形保护装置。

目前的方法是根据所述环形保护装置的使用寿命定期更换，但这种方法不易控制，晶圆吸盘的表面保护膜阳极化二氧化二铝会被离子束经常性损伤，产生铝球，造成晶圆的污染甚至晶圆的报废，降低了晶圆生产的良率，同时造成昂贵零件晶圆吸盘的报废。若尽量缩短所述环形保护装置的使用期限，则造成不必要的浪费，增加了生产成本，因此有必要提出一种新的晶圆吸盘的保护装置来解决目前存在的上述问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆吸盘保护装置，用于解决现有技术中由于晶圆保护装置被离子束频繁轰击产生凹槽以及来不及更换而使得所述晶圆吸盘受损，同时增加生产成本以及导致晶圆良率下降的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆吸盘保护装置，其特征在于，所述晶圆吸盘保护装置至少包括：具有上、下表面的第一保护结构；穿过所述第一保护结构上、下表面的通槽；由侧壁围成且具有上表面的吸盘；所述吸盘沿其侧壁嵌入于所述第一保护结构的通槽；所述吸盘上表面高于所述第一保护结构的上表面；完全覆盖并背面吸附于所述吸盘上表面的晶圆；所述第一保护结构的上表面嵌有围绕所述吸盘的第二保护结构；所述第二保护结构接触于所述晶圆边缘或背面。

作为本实用新型的晶圆吸盘保护装置的优选方案，所述通槽形状为直径小于所述晶圆直径的圆柱。

作为本实用新型的晶圆吸盘保护装置的优选方案，所述第二保护结构的横截面图形为圆环形。

作为本实用新型的晶圆吸盘保护装置的优选方案，所述圆环形与所述晶圆的圆心以及所述通槽横截面的圆心重合。

作为本实用新型的晶圆吸盘保护装置的优选方案，所述第二保护结构的外围具有与所述第一保护结构上表面相连的凸起结构。

作为本实用新型的晶圆吸盘保护装置的优选方案，所述凸起结构的纵截面图形为直角梯形。

作为本实用新型的晶圆吸盘保护装置的优选方案，所述第二保护结构的纵截面包括矩形、三角形、梯形。

作为本实用新型的晶圆吸盘保护装置的优选方案，所述纵截面为矩形的第二保护结构相切于所述纵截面为直角梯形的凸起结构的直角边。

作为本实用新型的晶圆吸盘保护装置的优选方案，嵌入所述通槽中的吸盘部分为横截面直径与所述晶圆直径相等的圆柱。

如上所述，本实用新型的晶圆吸盘保护装置，通过在所述第一保护结构中嵌入可以随时更换的所述第二保护结构具有以下有益效果：增加了所述第一保护结构的使用寿命，降低了生产成本以及提高了晶圆生产的良率。

附图说明

图1为现有技术的晶圆吸盘保护装置的剖面示意图。

图2为现有技术的晶圆吸盘保护装置的俯视透视示意图。

图3为本实用新型的一种晶圆吸盘保护装置的剖面示意图。

图4以及图5为本实用新型的另两种晶圆吸盘保护装置的剖面示意图。

元件标号说明

10、20  吸盘

11      环形保护装置

12、22  晶圆

A       凹槽

21      第一保护结构

23      第二保护结构

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。