[实用新型]一种小尺寸半导体LED共晶晶片

权利要求书

1.一种小尺寸半导体LED共晶晶片，其特征在于，所述小尺寸半导体LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的塔形LED晶片，自上而下包括：

蓝宝石或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层；

其中所述正、负电极包括焊盘，所述焊盘的焊接面暴露于所述LED共晶晶片底部的下方和/或暴露于所述LED共晶晶片底部的侧面；

所述小尺寸半导体LED共晶晶片为尺寸在300μm～19μm，厚度不小于0.001μm，功率在80mW-0.001mW的LED晶片。

2.根据权利要求1所述的小尺寸半导体LED共晶晶片，其特征在于，所述N型导电层具体为N型GaN或InGaN或InGaAlP。

3.根据权利要求1所述的小尺寸半导体LED共晶晶片，其特征在于，所述P型导电层具体为P型GaN或InGaN或InGaAlP。

4.根据权利要求1所述的小尺寸半导体LED共晶晶片，其特征在于，所述正、负电极的焊盘具体为AuSn或Cu。

5.根据权利要求1所述的小尺寸半导体LED共晶晶片，其特征在于，所述小尺寸半导体LED共晶晶片的顶面面积不大于（108X188）μm²，底面面积不大于（240X320）μm²，N型导电层与P型导电层构成的PN结面积不大于（196X266）μm²，厚度为1～140μm²。

6.根据权利要求1所述的小尺寸半导体LED共晶晶片，其特征在于，所述正电极的焊盘的宽度不大于80μm，长度为不大于196μm；所述负电极的焊盘的宽度为不大于120μm，长度为不大于196μm；所述绝缘隔离层的宽度为不大于100μm。

7.根据权利要求1所述的小尺寸半导体LED共晶晶片，其特征在于，所述小尺寸半导体LED共晶晶片还包括电流阻挡层CBL，位于P型导电层下方。