[实用新型]一种应用于直接发射机的锁相环环路滤波器电路

权利要求书

1.一种应用于直接发射机的锁相环环路滤波器电路，其特征在于：包括CMOS传输门S1、S2、S3，单位增益放大器A1，VFD节点电压产生电路P1，以及主滤波电路P2；其中传输门S1的右端分别与传输门S2的左端、传输门S3的右端相连，传输门S1的左端与锁相环中的模块电荷泵的输出电流ICP相连；传输门S2的右端与节点A相连；传输门S3的左端与节点VFD相连；单位增益放大器A1的输入与节点A相连，单位增益放大器A1的输出与VFD节点电压产生电路P1的节点VFD相连；主滤波电路P2的左端与节点A相连，右端与输出VOUT相连。

2.如权利要求1所述的应用于直接发射机的锁相环环路滤波器电路，其特征在于：所述传输门S1由一个NMOS晶体管M4和一个PMOS晶体管M3通过源漏互连的方式构成，NMOS晶体管M4的衬底与地GND相连，NMOS晶体管M4的栅与SP相连，PMOS晶体管M3的衬底与电源VDD相连，PMOS晶体管M3的栅与SN相连。

3.如权利要求1所述的应用于直接发射机的锁相环环路滤波器电路，其特征在于：所述传输门S2由一个NMOS晶体管M6和一个PMOS晶体管M5通过源漏互连的方式构成，NMOS晶体管M6的衬底与节点VL相连，NMOS晶体管M6的栅与SP相连，PMOS晶体管M5的衬底与节点VH相连，PMOS晶体管M5的栅与SN相连。

4.如权利要求1所述的应用于直接发射机的锁相环环路滤波器电路，其特征在于：所述传输门S3由一个NMOS晶体管M8和一个PMOS晶体管M7通过源漏互连的方式构成，NMOS晶体管M8的衬底与地GND相连，NMOS晶体管M8的栅与SP相连，PMOS晶体管M7的衬底与电源VDD相连，PMOS晶体管M7的栅与SN相连。

5.如权利要求1所述的应用于直接发射机的锁相环环路滤波器电路，其特征在于：所述VFD节点电压产生电路P1包括PMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、电阻R4、R5；其中PMOS晶体管M1的衬底与源及电源VDD相连，PMOS晶体管M1的栅与VBIAS相连，PMOS晶体管M1的漏与节点VH相连,更进一步的，节点VH与节点VFD之间连接有电阻R4；NMOS晶体管M2的衬底与源及地GND相连，NMOS晶体管M2的栅与VBIAS相连，NMOS晶体管M2的漏与节点VL相连，更进一步的，节点VL与节点VFD之间连接有电阻R5。

6.如权利要求1所述的直接发射机的锁相环环路滤波器电路，其特征在于：所述主滤波电路P2包括电阻R1、R3、电容C1、C2、C3、以及单位增益放大器A2；其中电阻R1的上端与节点A相连，电阻R1的下端与电容C1的上端相连，电容C1的下端与地GND相连；节点A和地GND之间连接有电容C2；单位增益放大器A2的输入与节点A相连，单位增益放大器A2的输出与输出VOUT之间连接有电阻R3；输出VOUT与地GND之间连接有电容C3。