[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201420184997.6 | 申请日: | 2014-04-17 |
公开(公告)号: | CN203800049U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 沈一清;张洪超;李帅锋;张磊;占伟 | 申请(专利权)人: | 浙江长兴汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/0376;H01L31/0392 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 313000 浙江省湖州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,更具体的说是一种非晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术
三叠层非晶硅薄膜太阳能电池随着子电池宽度的增大,其横向电阻会增大,从而使电流损失增大;当子电池宽度减小,死区个数会增大,减少阳光照射的有效面积;综上所述都会对电池的性能产生影响。因此需要合理设置子电池的宽度。现有技术中规格尺寸为124.5*63.5cm的三叠层非晶硅薄膜太阳能电池,划刻40条激光线,分为39节,死区个数39个,其宽度为0.4mm,每节子电池宽度为1.55cm,考虑到横向电阻和阳光照射面积的损失,并不是最优的结构,不能最大程度的发挥出电池的发电功率。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种非晶硅薄膜太阳能电池,优化其横向电阻和死区宽度的匹配,使太阳能电池的发电功率达到最大化。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种非晶硅薄膜太阳能电池,其尺寸为124.5*63.5cm,在玻璃衬底上依次叠层设置前电极层、三叠层非晶硅薄膜层和背电极层,分别在前电极层、三叠层非晶硅薄膜层和背电极层激光划线形成若干个串联的子电池及与子电池间隔分布的死区,所述子电池数量为43-47个。
作为优选,所述子电池数量为47个,此数量的子电池能够最佳地分配子电池的宽度和死区的宽度,有效地降低了子电池的串联电阻和死区面积。
作为优选,所述子电池宽度为1.30-1.40cm。
作为优选,所述子电池宽度为1.30cm,此宽度的子电池能降低子电池的串联电阻,减少了横向电流的损失。
作为优选,所述死区宽度为0.25-0.30mm。
作为优选,所述死区宽度为0.25mm,此死区宽度既能保证子电池的最佳数量,也降低了死区的总面积。
本实用新型的有益效果:本实用新型优化了非晶硅薄膜太阳能电池子电池的数量和宽度以及死区宽度,有效地降低了子电池的串联电阻,减少了横向电流的损失,同时降低了死区面积,增加阳光有效照射面积,提高了电池的发电功率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中,1- 玻璃衬底;2-前电极层;3-三叠层非晶硅薄膜层;4-背电极层,p1-前电极层激光刻线;p2-三叠层非晶硅薄膜层激光刻线;p3-背电极层激光刻线;w1-子电池宽度;w2-死区宽度。
具体实施方式
以下所述仅是本实用新型的较佳实施方式,故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。
实施例1:由图1所示,一种规格尺寸为长124cm*宽63.5cm的非晶硅薄膜太阳能电池,在其玻璃衬底1上依次叠层设置前电极层2、三叠层非晶硅薄膜层3和背电极层4,分别在前电极层2、三叠层非晶硅薄膜层3和背电极层4激光划线形成前电极层激光刻线p1、三叠层非晶硅薄膜层激光刻线p2和背电极层激光刻线p3,此三条激光刻线共同作为一组刻线将非晶硅薄膜太阳能电池划分为47个串联的子电池及与子电池间隔分布的死区,子电池宽度w1为从一组刻线中背电极层激光刻线p3的外边缘到另一组刻线中前电极层激光刻线p1外边缘的距离,其宽度为1.30cm,死区宽度为一组刻线中前电极层激光刻线p1的外边缘到背电极层激光刻线p3的外边缘的距离,宽度为0.25mm。
实施例2:与上述实施例不同之处在于:子电池的数量为45个,子电池宽度w1为1.35cm,死区的宽度为0.27mm。
实施例3:与上述实施例不同之处在于:子电池的数量为43个,子电池宽度w1为1.40cm,死区的宽度为0.30mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的