[实用新型]一种矩阵列晶体管引线框架有效

专利信息
申请号: 201420190338.3 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN203774305U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 罗天秀;许兵;樊增勇;伍泽熊;任伟 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人: 袁英
地址: 610041 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 矩阵 晶体管 引线 框架
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种引线框架,特别是涉及一种矩阵列晶体管引线框架。

背景技术

引线框架是一种载体,用于承载集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,引线框架是电子信息产业中重要的基础材料,其主要是通过模具冲压法和化学蚀刻法进行生成。

目前,引线框架主要有单排引线框架和双排引线框架,如获中华人民共和国国家实用新型专利的一种半导体用的引线框架(申请日:20130416,,公开日:20131106), 其技术方案为:由十个引线单元单排组成,所述引线单元之间通过连接筋连接;如获中华人民共和国国家实用新型专利的一种双排引线框(申请日:20120711,公开日,20130313),其技术方案是:它包括两队引线框架,在每个引线框架的一端装有接垫,高温胶带与引线框架水平垂直且将两条平行的引线框架连接起来形成一横排引线框架,两横排引线框上下对应排列形成上横排引线框和下横排引线框,上横排引线框的引线框架的接垫与下横排引线框的引线框架的接垫位置相对应,上横排引线框架与下横排引线框架之间通过连接筋连接起来。上述两种引线框架对设备的使用率和材料的利用率都低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种矩阵列晶体管引线框架,引线框架单元在框架内呈矩阵排列,从而提高生产过程中对设备和材料的使用率;引线框架子单元间隔安装在连接片上,便于在后序工序中对引线框架子单元进行分割;在塑封胶上设置凹槽,增强引线框架子单元的散热性。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种矩阵列晶体管引线框架,它包括框架和设计在框架内的引线框架单元,引线框架单元在框架内呈矩阵排列,引线框架单元包括连接片和安装在连接片上的若干引线框架子单元;每个引线框架子单元的载片区上设有与晶体管引脚相匹配的引线,晶体管通过塑封胶固定于引线框架子单元的载片区上。 

所述的若干引线框架子单元等间距安装在连接片上。

它还包括凹槽,凹槽设置于塑封胶晶体管位置之外的位置。

所述的引线框架单元从上至下间隔排列在框架内,引线框架单元为48排,每排引线框架单元包括268个引线框架子单元,每个引线框架子单元的载片区均设置有晶体管。

所述框架的长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm。 

与传统技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

1)采用引线框架单元在框架内呈矩阵排列,从而提高了生产过程中对设备和材料的使用率;

2)将若干引线框架子单元等间距安装在连接片上,便于在后序工序中对引线框架子单元进行分割;

3)在固定晶体管的塑封胶上设置凹槽,从而增强了引线框架子单元的散热行。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图;

图2为本实用新型的引线框架局部放大结构示意图;

图中,1-框架,2-引线框架单元,3-引线框架子单元,4-连接片,5-塑封胶,6-凹槽。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案,但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示,一种矩阵列晶体管引线框架,它包括框架1和设计在框架1内的引线框架单元2,引线框架单元2在框架1内呈矩阵排列,引线框架单元2包括连接片4和安装在连接片4上的若干引线框架子单元3;每个引线框架子单元3的载片区上设有与晶体管引脚相匹配的引线,晶体管通过塑封胶5固定于引线框架子单元3的载片区上。 

所述的若干引线框架子单元3等间距安装在连接片4上,便于在后序工序中对引线框架单元2进行分割,即将连接片4上的引线框架子单元3分割成单独的引线框架子单元3备用。

它还包括凹槽6,凹槽6设置于塑封胶5晶体管位置之外的位置,如:塑封胶5中心位置为晶体管所放置的位置,则凹槽6可以设置在塑封胶5的左右两侧,也可以开设在塑封胶5其余不影响晶体管封装的位置。

所述的引线框架单元2从上至下间隔排列在框架1内,引线框架单元2为48排,每排引线框架单元2包括268个引线框架子单元3,每个引线框架子单元3的载片区均设置有晶体管。

所述框架1的长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm。

每排引线框架单元2包括268个引线框架子单元3,每个引线框架子单元3的载片区均设置有晶体管,即一个框架1内包括了12864颗晶体管,从而增强了框架1的密度,提高了设备的利用率,降低了成本,在前端提高30%的设备效率,Molding提高2倍的效率,成本降低, 框架成本降低25%,Compound成本降低15%;提高资源利用率,框架利用率提高30%,Compound用量降低20%。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司,未经成都先进功率半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420190338.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top