[实用新型]一种半导体激光合成器治疗仪有效

专利信息
申请号: 201420191754.5 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN203829492U 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 瞿国平;周志华 申请(专利权)人: 深圳天基权健康科技集团股份有限公司
主分类号: A61N5/067 分类号: A61N5/067
代理公司: 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 代理人: 万学堂;徐小琴
地址: 518100 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 激光 合成器 治疗
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于医疗器械领域,涉及激光治疗设备,特别涉及一种新型半导体激光合成器治疗仪。 

背景技术

激光是20世纪以来,继原子能、计算机、半导体之后,人类的又一重大发明,被称为“最快的刀”、它的原理早在1916年已被著名的美国物理学家爱因斯坦发现。20世纪四大发明是“激光,原子能,半导体,计算机”。现在激光广泛用于医疗领域。低强度激光照射治疗效果,经临床验证已受到国内外专家的肯定。主要应用于治疗脑部疾病、心血管疾病、糖尿病、肿瘤、白血病、精神性疾病等等。根据健康医学发现,激光激发的血液荧光主要在600-670纳米之间。激发血液由基态至激发态,由630-650纳米的激光作为激光源最有效,治疗的效果最好。低强度激光治疗对心血管病前期的预防和发病后的恢复期都有很好的疗效。对于亚健康人群的身体恢复和人体抗衰老有一定的作用。 

现有技术中,已出现多种半导体激光治疗仪,对疾病的预防和治疗有一定的效果。但大多采用腔内倍频手段,即倍频晶体放置在激光晶体和反射片之间如申请人拥有的一项专利名称是:“一种激光治疗机”,(专利号:00108495.X)提供了一种670nm激光治疗机。采用这种纯腔内倍频技术,虽然效率高,但功率波动大,稳定性较差。且较大的功率波动性容易给患者造成危害性的伤害。 

实用新型内容

本实用新型的目的是解决上述现有技术的不足,提供一种新型激光合成器治疗仪,使其具有较好的功率稳定性和较高的效率。 

为了实现上述技术目的,本实用新型采用如下技术方案: 

一种半导体激光合成器治疗仪,包括:半导体激光器和控制系统, 

半导体激光器为半导体激光合成器包括:激光介质晶体、用于泵浦激光介质晶体的半导体激光器、将半导体激光器输出的激光聚焦到激光介质晶体上的光学耦合系统、使激光介质受到半导体激光激发后,产生粒子数反转,从而 在谐振腔之间产生基波激光振荡的反射镜和输出镜、将输出镜输出的谐波激光倍频为红光激光的倍频晶体、将未倍频的谐波激光反射回激光谐振腔,并输出产生的用于治疗的红光激光的反馈镜;用于将输出的红光激光聚焦到传输光纤的端面,并通过该光纤,传输到治疗部位,进行治疗的聚焦透镜;激光介质晶体、反射镜和输出镜组成激光谐振腔,倍频晶体放置于输出镜和反馈镜之间,聚焦透镜设置于反馈镜之后。 

控制系统包括: 

电源模块,与半导体激光合成器相连,提供所述半导体激光合成器所需工作电源;半导体激光合成器稳定工作模块,与半导体激光合成器、电源模块和系统控制模块相连,控制整个系统的稳定输出功率;系统控制模块,与电源模块和半导体激光合成器稳定工作模块相连,控制整个系统工作。 

所述的半导体激光合成器治疗仪,其中:激光介质晶体为掺钕激光介质晶体,选自Nd:YVO4或Nd:GdVO4晶体。 

所述的半导体激光合成器治疗仪,其中,传输光纤选用医用光纤,用于传输红光激光,并将治疗仪输出的红光激光引导到治疗部位,进行治疗。 

所述的半导体激光合成器治疗仪,其中,倍频晶体可以选自KTP或LBO或PPKTP或PPLN晶体。 

所述的半导体激光合成器治疗仪,其中,反射镜的镜面镀有对泵浦的半导体激光束高透,对1300nm~1500nm波长全反射的光学膜。输出镜的镜片镀有对1300nm~1500nm波长激光部分反射,对红光激光全反射的光学膜。反馈镜的镜片镀有对1300nm~1500nm波长激光全反射,对红光激光增透的光学膜。 

所述的半导体激光合成器治疗仪,其中,半导体激光合成器可发射强度为650nm–700nm的红光激光。 

所述的半导体激光合成器治疗仪,其中,系统控制模块包括CPU微处理器,作为半导体激光合成器的核心控制器件,控制整个系统的工作。该控制模块还可设置显示电路、电源检测、报警电路,其中,可设置四个LED灯,3个LED灯分别用于显示功率,还有一个LED灯是工作指示灯,30MIN是电源指示灯。三级管Q7是电源检测IC,当电源过低时报警。 

所述的半导体激光合成器治疗仪,其中,电源模块可以设置为包括:外接电源插座JP1、三端稳压块Q1、内部电池供电系统输入端JP2、构成充电电路 的三级管Q3和Q4及用于控制充电的三级管Q9。 

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