[实用新型]大面积超薄单晶硅片定向仪有效
申请号: | 201420191912.7 | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN203811145U | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 甄伟;赵松彬 | 申请(专利权)人: | 丹东新东方晶体仪器有限公司 |
主分类号: | G01B11/26 | 分类号: | G01B11/26 |
代理公司: | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 | 代理人: | 李枢 |
地址: | 118000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大面积 超薄 单晶硅 定向 | ||
技术领域
本实用新型涉及X射线检测仪,特别是涉及大直径单晶硅晶棒、晶片的A向、C向、M向、R向的大面积超薄单晶硅片定向仪。
背景技术
单晶硅加工中半成品单晶硅晶棒以及成品晶片,在转下道工序以及出厂检验时需要相配套的单晶硅晶体专用定向仪来进行单晶硅半成品及成品的检测。并显示出偏差及读数以便上道工序的整改和下道工序的纠正等,随着客户对单晶硅晶体定向精度要求的日益提高,传统的低精度切片初级定向设备,不能精确地检测出单晶硅晶体内部晶向的定向模式逐渐被单晶硅晶片生产企业所淘汰。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,提供一种能满足0°-80°测量角度及定向硅晶片直径可达12英吋(300mm),可检测晶片的厚度不小于0.15mm,满足大直径单晶硅晶片各个晶向的定向测量需求,能满足单晶硅晶片A向、C向、R向、M向等多向多角度检测,并且自动化程度高,测试精度高,测试效率快使用方便的适用于测试大面积超薄单晶硅片定向仪。
采用的技术方案是:
大面积超薄单晶硅片定向仪,包括机体、机体上设置的工作台、测角仪、X光射线发生器。所述的工作台上设置有两个测角仪和一个X光射线发生器,所述两个测角仪分别位于X光射线发生器两侧,两个测角仪上均设有样品台,样品台上设置有贴片板,贴片板连接负压管路。X光射线发生器内设有X光射线管,外接光闸。测角仪内部装设有蜗轮蜗杆,蜗轮与主轴同轴连接,蜗杆一端与编码器连接,另一端固定连接有手轮,样品台与主轴上端固定连接,样品台的底面安装有滚轮,转动手轮可在测角仪端面轨道上运行调整测试角度,样品台上通过支板固装有闪烁探测器,并且每个样品台上均设置有显示样品角度的显示器,所述的机体内分别设置有高压变压器、稳压器及气泵,气泵连接负压管路的一端,高压变压器电连接X光射线发生器。
本实用新型取得的积极效果是:
1、3600线编码器与蜗杆联接通过传动比显示输出,扫描速度0.01-0.05度/秒,弱反射面测量精度:≤±15,即满足了大面积超薄单晶硅片测量精度需要,又降低了成本。
2、利用小功率X射线管,采用了双晶衍射技术的光闸与X射线单色化技术的闪烁探测器相结合,定向仪的闪烁探测器接收到是X光射线发生器发射的X射线经工件发射后的单色光,消除X射线中的非理想波长,带来的直接效果是可以减少对环境及操作者的污染和损害,提高X光射线管套中发射装置的使用寿命,并且能提高测量精度,增加了设备的可实现性。
3、稳压器与高压变压器配合使用,解决了输入电压波动对测量值的显示不准确的问题,提高了测量精度。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
大面积超薄单晶硅片定向仪,包括机体3、机体上设置的工作台4、测角仪17、X光射线发生器10。所述的工作台4上设置有两个测角仪17和一个X光射线发生器10,所述两个测角仪17分别位于X光射线发生器10两侧,两个测角仪17上均设有样品台13,样品台13上设置有贴片板7,贴片板7连接负压管路12。X光射线发生器10内设有X光射线管,外接光闸9。测角仪17内部装设有蜗轮蜗杆5,蜗轮与主轴8同轴连接,蜗杆一端与编码器6连接,另一端固定连接有手轮18,样品台13与主轴8上端固定连接,样品台13的底面安装有滚轮,转动手轮18可在测角仪端面轨道14上运行调整测试角度,样品台13上通过支板16固装有闪烁探测器15,并且每个样品台13上均设置有显示样品角度的显示器11。所述的机体3内分别设置有高压变压器19、稳压器2及气泵1,气泵1连接负压管路12的一端,高压变压器19电连接X光射线发生器10,构成大面积超薄单晶硅片定向仪。
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