[实用新型]一种用于瞬态温度测量的薄膜传感器有效
| 申请号： | 201420192906.3 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN203929258U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 崔云先;赵家慧;郭立明;安阳;祁洋;宫刻;张启祥 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02;C23C14/35;C23C14/06;C04B35/622 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 杨威;李洪福 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 瞬态 温度 测量 薄膜 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于瞬态温度测量的薄膜传感器，包括热电极、套装在热电极外的不锈钢套筒以及设置于热电极、不锈钢套筒之间的绝缘层，其特征在于：所述热电极包括热电极一及热电极二，其中，热电极一包括导线部分以及镀覆在绝缘层任一端面上的薄膜结构部分，热电极二为导线结构，热电极一的薄膜结构部分与热电极二接触形成热接点——即测温端；所述热电极一的导线部分及热电极二的长度均长于不锈钢套筒的长度，且自远离测温端的不锈钢套筒端头处伸出，上述热电极伸出不锈钢套筒的部分直接作为各个热电极对应的补偿导线。
2.根据权利要求1所述的用于瞬态温度测量的薄膜传感器，其特征在于：所述的绝缘层为高温烧结纳米陶瓷粉制备而成的绝缘层。
3.根据权利要求1所述的用于瞬态温度测量的薄膜传感器，其特征在于：所述的热电极一薄膜结构和导线结构均采用镍硅合金材料。
4.根据权利要求1所述的用于瞬态温度测量的薄膜传感器，其特征在于：所述的热电极二采用镍铬合金材料。
5.根据权利要求1所述的用于瞬态温度测量的薄膜传感器，其特征在于：所述的不锈钢套筒外壁设置螺纹结构。
6.根据权利要求1所述的用于瞬态温度测量的薄膜传感器，其特征在于：所述的热电极一的薄膜结构部分上镀覆一层Si3N4保护膜。
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