[实用新型]80V尖峰浪涌抑制模块有效
申请号: | 201420193671.X | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN204046154U | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 陈玉鹏 | 申请(专利权)人: | 西安霍威电源有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 80 尖峰 浪涌 抑制 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种尖峰浪涌抑制器。
背景技术
目前在国内范围, 80V尖峰浪涌抑制器由80V降到40V,主要是靠内部MOS管瞬时承受, 一方面MOS管体积偏大,导致外形体积偏大;另一方面瞬时过电流很容易损伤MOS管,瞬时承受过载内力很差。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种体积更小,且尽最大可能地去避免MOS管因过流而导致损坏。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案是这样的:本实用新型80V尖峰浪涌抑制模块,包括尖峰浪涌抑制器、MOS管,功率电阻和外围阻容器件,所述尖峰浪涌抑制器通过所述MOS管与所述功率电阻和外围阻容器件连接,所述尖峰浪涌抑制器由尖峰过压抑制电路、过压浪涌抑制电路和正常输出电路组成。
本实用新型所涉及的方案主要是靠内部MOS管和功率电阻来瞬时承受,功率电阻提供MOS关断限流,大大降低了MOS管过流损坏;同时功率电阻还起到分担功率的作用,大大降低MOS管所需承受的总功率,减小了MOS管的体积,从而80V尖峰浪涌抑制器的体积得以减小。
附图说明
图1:本实用新型工作原理图。
图2 :本实用新型尖峰浪涌抑制器的结构图。
具体实施方式
以下结合附图说明对本实用新型做进一步说明。
如图1所示,本实用新型80V尖峰浪涌抑制模块,包括尖峰浪涌抑制器、MOS管,功率电阻和外围阻容器件,所述尖峰浪涌抑制器通过所述MOS管与所述功率电阻和外围阻容器件连接。
如图2所示,本实用新型所涉及的尖峰浪涌抑制器由尖峰过压抑制电路(1)、过压浪涌抑制电路(2)和正常输出电路(3)组成。
结合图2,描述本实用新型的几种工作状态:
1、正常工作时,输入电压+28.5VDC,尖峰过压抑制电路(1)、过压浪涌抑制电路(2)不工作,通过正常输出电路(3)输出;
2、过压浪涌时,在正常工作状态下,引入+80V(+50V)的过电压,持续时间为50mS,尖峰过压抑制电路(1)不工作,过压浪涌保护电路(2)工作,将80V降到40V左右后通过正常输出电路(3)输出;
3、尖峰电压时,在正常工作状态下,引入+600V(+200V)的过电压,持续时间为20μS,尖峰过压抑制电路(1)工作,将其抑制在+90VDC左右,再通过过压浪涌保护电路(2)将+90V抑制到+40V左右后通过正常输出电路(3)输出。
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