[实用新型]一种半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于：包括隔振平台和半导体激光器本体，所述隔振平台包括气垫式隔振平台、磁铁板块，所述磁铁板块设有两块，分别为第一磁铁板块和第二磁铁板块，所述第一磁铁板块的极性、形状和大小与所述第二磁铁板块的极性、形状和大小分别相同，所述第一磁铁板块位于所述气垫式隔振平台上，所述第二磁铁板块悬浮在所述第一磁铁板块的上方，所述半导体激光器本体固定在所述第二磁铁板块上。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述第二磁铁板块的上方设有两个赫姆霍兹线圈，所述两个赫姆霍兹线圈的中心在同一条轴线上。

3.根据权利要求1或2所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器本体内设有稳频电路，所述稳频电路包括单频激光器、压电陶瓷晶体、光电探测器、选频放大器、1kHz正弦波振荡器、鉴相器、直流放大器和直流电压变换器，所述单频激光器设置在所述压电陶瓷晶体和所述光电探测器之间，所述光电探测器、选频放大器、鉴相器、直流放大器、直流电压变换器和压电陶瓷晶体依次相连，且所述鉴相器通过所述1kHz正弦波振荡器与所述压电陶瓷晶体相连。

4.根据权利要求3所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述压电陶瓷晶体为圆筒形，在圆筒形压电陶瓷晶体的内壁和外壁上分别设有电极。

5.根据权利要求3所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述光电探测器为光电二极管或光电管。

6.根据权利要求3所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述选频放大器为双T型网络构成的选频放大器。

7.根据权利要求3所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述鉴相器为二极管平衡式鉴相器。