[实用新型]负离子发生器有效
申请号: | 201420198308.7 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN203883315U | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 陈宥余;刘义伟 | 申请(专利权)人: | 陈宥余 |
主分类号: | H01T23/00 | 分类号: | H01T23/00 |
代理公司: | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人: | 史旭泰 |
地址: | 110023 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 负离子 发生器 | ||
技术领域
本实用新型属于电晕放电装置技术领域,尤其涉及一种负离子发生器。
背景技术
负离子发生器是一种生成空气负离子的装置,该装置将输入的直流或交流电经EMI处理电路及雷击保护电路处理后,通过过压限流、高低压隔离等线路升为高压,然后通过特殊等级电子材料整流滤波后得到纯净的直流负高压,将直流负高压连接到金属或碳元素制作的释放尖端,利用尖端直流高压产生高电晕,高速地放出大量的电子,而电子无法长久存在于空气中,立刻会被空气中的氧分子捕捉,从而生成空气负离子。
现有负离子发生器结构较复杂,安全性有待提高,且耗电量较大。
发明内容
本实用新型就是针对上述问题,提供一种结构简单、安全可靠的负离子发生器。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案,本实用新型包括整流二极管D1、整流二极管D2、硅堆D3、硅堆D4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、单向可控硅SCR和脉冲变压器T,其结构要点整流二极管D1阳极分别与市电火线、电阻R1一端相连,整流二极管D1阴极与电阻R2一端相连,电阻R2另一端与单向可控硅SCR控制端相连,单向可控硅SCR阴极分别与整流二极管D2阳极、电容C1一端相连,整流二极管D2阴极与电阻R1另一端相连,电容C1另一端分别与市电零线、脉冲变压器原边一端相连,脉冲变压器原边另一端与单向可控硅SCR阳极相连,脉冲变压器副边一端分别与硅堆D3阴极、电容C3一端相连,脉冲变压器副边另一端分别与市电零线、电容C2一端相连,电容C2另一端分别与硅堆D3阳极、硅堆D4阴极相连,硅堆D4阳极分别与电容C3另一端、电阻R3一端相连,电阻R3另一端与放电针相连。
作为一种优选方案,本实用新型所述放电针采用悬浮式放电针。
作为另一种优选方案,本实用新型所述脉冲变压器原边采用Φ=0.35mm漆包线或丝包线绕28匝,脉冲变压器副边采用Φ=0.08mm高强度聚脂漆包线绕2495匝。
作为另一种优选方案,本实用新型所述脉冲变压器副边每层的绕线圈数为50圈,横向均匀排列。
作为另一种优选方案,本实用新型所述脉冲变压器副边每层的绕线起始端为同一侧。
作为另一种优选方案,本实用新型所述脉冲变压器副边相邻层之间设置有高强度聚乙烯薄膜,且每层的外表面均涂有绝缘清漆。
作为另一种优选方案,本实用新型所述脉冲变压器线圈设置在高压包外壳内,脉冲变压器线圈与高压包外壳内壁之间灌注有环氧树脂清漆。
作为另一种优选方案,本实用新型所述电容C1采用金属化纸介电容。
其次,本实用新型所述整流二极管D1型号为IN4007,整流二极管D2型号为IN4007,硅堆D3采用18kV硅堆,硅堆D4采用18kV硅堆,电阻R1采用22K欧1/2W电阻,电阻R2采用27K欧1/2W电阻,电阻R3采用40M电阻,电容C1采用0.1u/400V电容,电容C2采用1000PF/20KV电容,电容C3采用1000PF/20KV电容,单向可控硅SCR采用1A/400V可控硅。
另外,本实用新型所述电阻R3另一端通过30KV高压线与放电针相连。
本实用新型有益效果。
本实用新型采用可控硅逆变高压,悬浮式放电针等组成部件;结构相对简单。经试验,使用效果良好,安全可靠。本实用新型在市电电压160~250V均能正常工作,且耗电极省,仅1W左右,因此可长期连续工作。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。本实用新型保护范围不仅局限于以下内容的表述。
图1是本实用新型电路原理图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈宥余,未经陈宥余许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420198308.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。