[实用新型]一种高倍压DC-DC变换器

权利要求书

1.一种高倍压DC-DC变换器，其特征在于，包括供电电路、推挽式单端输出电路、变压器、倍压整流电路与反馈电路，所述的变压器的初级线圈电性连接所述供电电路与推挽式单端输出电路，所述的变压器的次级线圈电性连接所述倍压整流电路的输入端，所述的供电电路还对推挽式单端输出电路进行供电，所述的变压器的次级线圈、倍压整流电路的电压输出端与推挽式单端输出电路分别与所述的反馈电路电性连接。

2.如权利要求1所述的高倍压DC-DC变换器，其特征在于，所述的供电电路包括滤波电路与给推挽式单端输出电路供电的供电电路，所述的滤波电路包括限流二极管D1、滤波电容C1与C2，具体地，所述的限流二极管D1、滤波电容C1与C2并联，并联后的限流二极管D1的负极端连接电压正输入端，并联后的限流二极管D1的正极端连接电压负输入端；所述的推挽式单端输出电路供电的供电电路包括电阻R1、电容C3、稳压二极管Z1与三极管Q3, 具体地，所述电容C3与所述稳压二极管Z1并联，并联后的所述稳压二极管Z1正极端接地，并联后的所述稳压二极管Z1负极端连接所述三极管Q3的基极，所述电阻R1一端连接电压正输入端，另一端连接所述三极管Q3基极，所述的三极管Q3的集电极连接电压正输入端。

3.如权利要求2所述的高倍压DC-DC变换器，其特征在于，所述的推挽式单端输出电路包括MOS管Q1与Q2组成的推挽式开关与脉宽调制器U1，所述的脉宽调制器U1为SG3525脉宽调制芯片，具体地，所述的MOS管Q1与Q2的栅极分别串联电阻R2与R3，所述MOS管Q1与Q2的漏极分别连接所述变压器初级线圈两端，所述的变压器初级线圈中间连接电压正输入端，所述MOS管Q1与Q2的衬底端与源极连接，且MOS管Q1的源极与MOS管Q2的源极连接起来并串联电阻R0,所述电阻R0的另一端连接电压负输入端；所述电阻R2与R3的另一端分别连接所述脉宽调制器U1的14与11管脚，所述脉宽调制器U1的1、2、10与12管脚接地，5与7管脚连接电容C4的同一端，电容C4另一端接地，6 管脚接电阻R4，所述电阻R4另一端接地。

4.如权利要求3所述的高倍压DC-DC变换器，其特征在于，所述的倍压整流电路包括充电电容C8、C9、C10、C11、滤波电感L1、整流二极管D2与D3，具体地，所述变压器的次级线圈一端连接所述电容C8，另一端参考接地， 所述电容C8另一端连接所述二极管D3负极端与所述二极管D2正极端，所述二极管D2负极端与所述电感L1、电容C9一端连接，所述电感L1另一端连接所述电容C10与C11并联电路的一端，并连接到电压输出端，所述二极管D3正极端、电容C9、C10、C11的另一端参考接地。

5.如权利要求4所述的高倍压DC-DC变换器，其特征在于，所述的反馈电路包括光耦合器U2与电压采样电路，所述的光耦合器U2为TLP121光耦合芯片。

6.如权利要求5所述的高倍压DC-DC变换器，其特征在于，所述的倍压整流电路还包括给所述光耦合器U2的供电电路，所述光耦合器U2的供电电路包括电感L2、二极管D4与电容C12，具体地，所述电感L2一端连接所述二极管D3正极端，另一端连接所述二极管D4正极端，所述二极管D4负极端与所述电容C12一端与所述的光耦合器U2的输入端的正极连接，所述电容C12另一端接地。

7.如权利要求5所述的高倍压DC-DC变换器，其特征在于，所述的电压采样电路包括电阻R8 、R9、R10 、R11、 R12、R13，R6 、R7,电容C6、C7与三端可调分流基准源U3，所述电阻R8 、R10 、R11并联且一端连接所述的倍压整流电路的电压输出端，另一端与所述电阻R9、R12、R13组成的并联电路的一端相连，所述电阻R9、R12、R13组成的并联电路的另一端参考接地,所述的三端可调分流基准源U3的正极端与所述电容C7一端连接在一起并参考接地, 所述电容C7另一端接地, 所述的三端可调分流基准源U3负极端与所述电容C6的一端连接电阻R7的同一端,所述电阻R7的另一端连接所述的光耦合器U2的输入端的负极,所述电容C6的另一端连接所述电阻R6一端, 所述电阻R6另一端与所述三端可调分流基准源U3的参考端同时连接R8 、R10 、R11组成的并联电路与电阻R9、R12、R13组成的并联电路的公共端,所述的光耦合器U2输出端的发射极接地,集电极连接所述脉宽调制器U1的第9管脚,电阻R5一端连接所述光耦合器U2输出端的集电极,另一端连接所述Q3输出端的发射极,电容C5一端接所述脉宽调制器U1的第9管脚,另一端接地。