[实用新型]基于RFID技术的样品采集管有效
申请号: | 201420199447.1 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN203837954U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 罗燕萍;张樱 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军总医院 |
主分类号: | G01N1/10 | 分类号: | G01N1/10;G06K7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 鲁兵 |
地址: | 100853*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 rfid 技术 样品 采集 | ||
技术领域
本实用新型涉及医用检测器具领域,具体涉及一种临床检测取样中用到的样品采集管构成。
背景技术
临床检查中经常要对留取的血液、体液等样品进行检测,通常使用样品采集管留取样品。常用的采集管就是普通的试管,样品手工编号用于区分检测项目和检测结果;管理较为先进的样品采集使用了条形码技术,已有基于条形码的样品采集管,一般将条形码标签套贴在试管上,用扫码枪识别条形码标签上的信息,从而依据这些信息将样品检测结果进行区分。然而医院目前用的条形码技术的样品采集管仅能实现对病人信息的识别从而完成简单的区分功能,对于样品采集的过程不能记录,达不到对样品检测信息化管理的要求。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型的目的在于提供一种可记录样品采集过程从而满足样品检测信息化管理要求的基于RFID技术的样品采集管。
本实用新型采用以下技术方案:
一种基于RFID技术的样品采集管,包括试管和贴附于试管外的电子标签条,电子标签条朝向试管的一面设有感应区,感应区中附着有RFID电子芯片,感应区中还固定设有红外传感器,且红外传感器与RFID电子芯片电连接。
所述感应区中还固定设有温度传感器,且温度传感器与RFID电子芯片电连接。
所述基于RFID技术的样品采集管,电子标签条为能与试管外壁配合套装的环形或贴附在试管外壁的片状。
在试管周向所述感应区覆盖试管不超过其圆周的一半。
试管设有采样高度线,所述感应区位于采样高度线偏下位置。
采用以上技术方案,本实用新型提供的基于RFID技术的样品采集管,在电子标签中加装红外传感器和温度传感器,不仅可以实现对病人信息的识别,还可以记录样品注入时间和试管运送过程,实现对样品采集和运送过程的监控,为样品检测信息化管理创造了条件。
附图说明
图1是本实用新型基于RFID技术的样品采集管结构示意图。
图2是本实用新型基于RFID技术的样品采集管电子标签条感应区各部件连接关系图。
具体实施方式
射频识别(radio frequency identification,RFID)技术是一种非接触的自动识别技术,其基本原理是利用射频信号和控件耦合传送特性,实现对被识别物品的自动识别。RFID系统一般由电子标签和阅读器两个大的部分组成,电子标签以芯片实现记录数据和传递数据功能,而阅读器能够接收电子标签上的信息。
为实现样品采集信息化管理,本实用新型采用基于RFID技术的电子标签替代传统的条形码管理,并进一步整合温度传感器和红外传感器,让温度传感器和红外传感器采集到信息转换成电子标签的信息形式,然后让阅读器读到。因此,在本实用新型中,电子标签不仅可以记录病人基本信息还可以记录样品采集信息。
下面结合附图进一步说明本实用新型的具体结构和工作原理。
参见图1所示,本实用新型基于RFID技术的样品采集管包括试管1和电子标签条2两部分,试管1可为任何形式的普通采样试管,电子标签条2可以为能与试管1外壁配合套装的环形或贴附在试管外壁的片状。电子标签条2朝向试管1的一面设有感应区3,感应区3中包括电子芯片21,还根据需要加设温度传感器22或/和红外传感器23,如需要记录样品加入时间时可加设红外传感器23,如需要记录样品温度时可加设温度传感器,如既需要记录时间又需要记录温度时温度传感器22和红外传感器23均加设。位置上,感应区3应正对试管1中采集的样品,在周向感应区3占据试管2不超过其圆周的一半,以使其中的红外传感器23能够识别样品是否加入;高度上,试管1应设有采样高度线11,感应区3应位于该采样高度线11偏下位置,以使其中的温度感应器22直接感应样品温度,而红外传感器23能够识别样品注入时间。
根据不同样品采样量的变化,可以调整试管1采样线11高度的位置,并相应调整电子标签条2的位置进而调整其感应区3位置。
RFID电子芯片21可使用已有技术,利用CMOS电路制作的工艺实现。CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通,要么NMOS导通,要么都截至,比线性的三极管(BJT)效率要高,因此功耗很低。
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