[实用新型]一种全硅结构的微机电系统真空传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种全硅结构的微机电系统真空传感器。 

背景技术

目前的真空传感器的电极片采用普通的电极片，它不但耐热性能比较差，无法满足真空灭弧室产生的900℃的高温，，而且无法产生气体阻尼，从而真空度的测量范围比较小。 

发明内容

本实用新型提供了一种全硅结构的微机电系统真空传感器，它不但可以使真空度的测控I昂范围大，而且可以耐高温，不放气，避免出现破坏真空度的现象。 

本实用新型采用了以下技术方案：一种全硅结构的微机电系统真空传感器，它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体，在载体的中心设有通孔，在载体一侧的外侧设有芯片架Ⅰ，在载体另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ，芯片架Ⅰ与芯片架Ⅱ对称设置，在载体一侧的内侧设有电极片Ⅰ，在载体Ⅱ另一侧的内侧设有电极片Ⅱ，电极片Ⅰ与电极片Ⅱ对称设置在通孔的两侧与通孔相邻，在芯片架Ⅰ与芯片架Ⅱ之间横向设有电极片Ⅲ，电极片Ⅲ覆盖在电极片Ⅰ、通孔和电极片Ⅱ的上部，电极片Ⅲ与电极片Ⅰ、通孔和电极片Ⅱ相对，在电极片Ⅲ与电极片Ⅰ、通孔和电极片Ⅱ之间设有真空层，在电极片Ⅲ的上部设有感应片，在感应片的中心设有弹性元件。 

所述的电极片Ⅰ为多晶硅。所述的电极片Ⅱ为多晶硅。所述的电极片Ⅲ为多晶硅。所述的弹性元件为上窄下宽的梯形，弹性元件为弹片。 

本实用新型具有以下有益效果：采用了以上技术方案，本实用新型在电极片Ⅲ与电极片和电极片Ⅱ之间设有真空层，这样在电极片Ⅲ与电极片Ⅰ以及电极片Ⅲ与电极片Ⅱ设有气隙，气隙形成强烈的气体阻尼，利用气压与气体运 动阻尼的关系，从气体阻尼的衰减特性既可以测量谐振腔的真空度，测量范围10^—2—10²Pa，从而可以满足真空断路器10^—2—10^—1Pa真空测量范围的要求，而且电极片Ⅰ为多晶硅，电极片Ⅱ为多晶硅，电极片Ⅲ为多晶硅，这样在测量时经受真空灭弧室制造的900℃的高温，不放气，直接埋入真空灭弧室，实现对真空灭弧室真空度的直接测量，信号采用电容耦合和无线传输，在埋入真空灭弧室时不会破坏真空度，满足埋入真空灭弧室的要求。本实用新型感应片的中心设有弹性元件，弹性元件为上窄下宽的梯形，弹性元件为弹片，这样弹片与真空断路器内设有的振荡器相对应进行真空度的检测，无需穿过绝缘外壳的直接的电极引线，采用无线传输，使用更加安全方便。 

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。 

具体实施方式

在图1中，本实用新型提供了一种全硅结构的微机电系统真空传感器，是它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体1，在载体1的中心设有通孔2，在载体1一侧的外侧设有芯片架Ⅰ3，在载体1另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ4，芯片架Ⅰ3与芯片架Ⅱ4对称设置，在载体1一侧的内侧设有电极片Ⅰ5，电极片Ⅰ5为多晶硅，在载体Ⅱ2另一侧的内侧设有电极片Ⅱ6，电极片Ⅱ6为多晶硅，电极片Ⅰ5与电极片Ⅱ6对称设置在通孔2的两侧与通孔2相邻，在芯片架Ⅰ3与芯片架Ⅱ4之间横向设有电极片Ⅲ7，电极片Ⅲ7为多晶硅，电极片Ⅲ7覆盖在电极片Ⅰ5、通孔2和电极片Ⅱ6的上部，电极片Ⅲ7与电极片Ⅰ5、通孔2和电极片Ⅱ6相对，在电极片Ⅲ7与电极片Ⅰ5、通孔2和电极片Ⅱ6之间设有真空层8，在电极片Ⅲ7的上部设有感应片9，在感应片9的中心设有弹性元件10，弹性元件10为上窄下宽的梯形，弹性元件10为弹片。