[实用新型]晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构

权利要求书

1.一种晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于包括绝缘基体以及弹性导电机构，所述弹性导电机构与绝缘基体固定连接，其中所述弹性导电机构一端部或两端之间的选定部位与绝缘基体之间形成有可供夹持固定所述晶圆级半导体器件的弹性夹持结构，当将所述晶圆级半导体器件插入所述弹性夹持结构时，所述弹性导电机构一端或两端之间的选定部位还与所述晶圆级半导体器件的阴极或阳极电性接触， 

其中所述晶圆级半导体器件包括： 

直径在2英寸以上的晶圆级基片， 

形成于基片表面且并联设置的多个串联组，每一串联组包括串联设置的多个并联组，每一并联组包括并联设置的多个功能单胞，其中每一功能单胞均是由直接外延生长于所述基片表面的半导体层加工形成的独立功能单元， 

以及导线，其至少电性连接于每一串联组中的一个选定并联组与所述半导体器件的一个电极之间和/或两个选定并联组之间，用以使所有串联组的导通电压基本一致。 

2.根据权利要求1所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于所述弹性导电机构包括金属簧片，所述金属簧片一端部与绝缘基体固定连接，另一端部为活动端。 

3.根据权利要求2所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于所述金属簧片另一端部具有至少一弧形结构，当将所述晶圆级半导体器件插入所述弹性夹持结构时，其中至少一弧形结构的顶端部与所述晶圆级半导体器件的阴极或阳极电性接触。 

4.根据权利要求1-3中任一项所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于所述弹性导电机构与所述绝缘基体的一端部固定连接，另一端部具有一凸出部，所述凸出部与所述弹性导电机构一端或两端之间的选定部位之间形成所述弹性夹持结构。 

5.根据权利要求1-3中任一项所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于所述弹性导电机构经分布在所述绝缘基体上的导线与电源电连接。 

6.根据权利要求1-3中任一项所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构， 其特征在于，当将所述晶圆级半导体器件插入所述弹性夹持结构时，所述绝缘基体与所述基片另一面接触。 

7.根据权利要求1-3中任一项所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于所述晶圆级半导体器件还与至少一散热壳体固定连接，所述散热壳体内设有可储纳导热介质的空腔，且至少所述晶圆级半导体器件一面的至少与所述功能单胞相应的局部区域暴露于所述空腔内。 

8.根据权利要求7所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于至少所述晶圆级半导体器件的暴露于所述空腔内的一面的至少局部区域上分布有散热机构，所述散热机构包括至少连接于所述晶圆级半导体器件的一面上的复数片状和/或柱状散热部。 

9.根据权利要求7所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于所述散热壳体上还分布有与所述空腔连通的导热介质入口和出口； 

和/或，所述散热壳体还具有复数中空散热翅片，所述散热翅片内腔与所述空腔连通。 

10.根据权利要求1-3、8、9中任一项所述晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其特征在于所述晶圆级半导体器件为半导体发光器件，且所述半导体发光器件的出光面上还分布有减反增透机构。