[实用新型]加速激活药液的装置有效
申请号: | 201420213693.8 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN203950826U | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 赵建东;郑飞 | 申请(专利权)人: | 中电电气(扬州)光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 孙忠明 |
地址: | 211400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 加速 激活 药液 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种加速激活药液的装置,属于晶硅太阳能电池技术领域。
背景技术
在常规晶硅太阳能电池工艺中,酸制绒和湿法刻蚀是普遍使用的成熟技术,酸制绒可以减少反射率,去除损伤层,湿法刻蚀可以实现背面抛光,边缘绝缘,均可以提高太阳能电池转换效率。
各电池厂商采用的酸制绒和湿法刻蚀设备在设计上有一个共同点,即主槽体的工艺原理是类似的:HNO3与HF的混合液与硅片反应时, HNO3先将硅片氧化,HF再与其氧化产物反应。该工艺过程可以稳定、有效的实现酸制绒和湿法刻蚀设备功能,并且比较容易控制,适合量产使用,但却存在一个问题,即药液激活问题。此反应前序反应(氧化反应)为慢反应,是影响反应速率的主要部分;而在氧化反应中,起氧化作用的并不是HNO3,而是HNO3在反应过程中的副产物亚硝酸根离子,因此激活药液的主要目的是为了提高药液中的亚硝酸根浓度。因此在PM之后或者暂停生产之后,再进行生产时,需要使用硅片进行长时间试跑,以提高药液中的亚硝酸根浓度,激活药液,保证刻蚀速率稳定可控,这样就会带来2个负面影响:一是需要消耗大量硅片;二是需要消耗2-3小时的时间,极大地影响车间正常生产。
发明内容
本发明的目的是提供一种加速激活药液的装置,解决上述现有设备存在的缺陷,通过本发明使酸制绒和湿法刻蚀设备的药液激活时间大幅减少,减少由于药液激活所带来的产能浪费问题,降低硅片成本。
本发明的目的是通过以下装置实现的,一种加速激活药液的装置,包括主槽体,其特征是,设置存放亚硝酸盐溶液的缓存槽,缓存槽经药液管路连接主槽体,药液管路中串接电磁阀,电磁阀接电脑,缓存槽经管道外接氮气源,缓存槽上设置排风管连接外围排风抽走氮气,主槽体内设置鼓泡机构,鼓泡机构连接氮气。
所述鼓泡机构是一根布满气孔的氮气管,氮气管连接氮气。
本发明有如下优点:1)在现有酸制绒和湿法刻蚀设备的基础上,对槽体的构造进行改善,但配置变动较少,改造成本较小;2)在本发明中,实现了一种加速激活药液的装置,可以在PM之后或者暂停生产之后,再进行生产时添加亚硝酸盐溶液以提高亚硝酸根浓度,加速激活药液,减少由于药液激活所带来的产能浪费问题,也降低了硅片成本;本发明结构简单,实用性强,有利于降低由于药液激活所带来的产能浪费问题和降低硅片成本。
附图说明
图1为本发明结构示意图;
图2为本发明中的鼓泡机构结构示意图;
图中,1缓存槽,2药液管路,3主槽体,4鼓泡机构,5气孔,6管道,7氮气源,8排风管,9电磁阀。
具体实施方式
结合附图和实施例进一步说明本发明,如图1、2所示,本发明是在现有酸制绒和湿法刻蚀设备的基础上进行的改进,硬件配置变动较少,包括存放亚硝酸盐溶液的缓存槽1,缓存槽1经药液管路2连接的主槽体3,药液管路2中串接电磁阀9,电磁阀9接电脑,缓存槽1经管道6外接氮气源7,缓存槽1通过其排风管8连接外围排风抽走氮气,主槽体3内设置鼓泡机构4,鼓泡机构4是一根布满气孔5的氮气管,氮气管连接氮气,在缓存槽1中存有亚硝酸盐溶液,在酸制绒和湿法刻蚀设备PM之后或者暂停生产之后,再进行生产时,可以控制电磁阀9通过药液管路2向主槽体3中添加一定量的亚硝酸盐溶液,然后向鼓泡机构4中通入氮气,在主槽体3产生大量气泡,可以使药液混合均匀;由于本装置可以向主槽体3中添加亚硝酸盐溶液,提高了亚硝酸根浓度,加速激活药液,减少由于药液激活所带来的产能浪费问题,也降低了硅片成本。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的,技术方案,有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述的仅是本发明的具体实施例而已,并不用限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改,等同替换,改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电电气(扬州)光伏有限公司,未经中电电气(扬州)光伏有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420213693.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生长在Cu衬底的LED外延片
- 下一篇:晶闸管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的