[实用新型]LED封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED封装技术领域，特别涉及一种LED封装结构。

背景技术

为了避免LED芯片发出的光被金属基板吸收，造成光损失。目前业界的做法，是在金属基板的表面镀银。利用银的高反射率特性，将射到基板表面的光线反射到LED芯片和硅胶层。由于有机硅胶较高的透湿透氧性，在LED光源使用过程中，空气中的硫元素会透过硅胶，渗入封装体内部。硫元素进入封装体后会与基板表面的银发生反应，生成黑色的硫化银。例如2012年5月23号授权的专利号为ZL201120356103.3实用新型，揭示了一种贴片LED的封装结构。该LED封装结构包括：LED芯片、基板、镀银层，所述LED芯片设置在所述的基板的上表面，所述的镀银层涂在所述基板的上表面，分别连接所述LED芯片的各电极，该镀银层将LED芯片发出的光线充分反射，提高了LED光源的质量。

由此可知，由于该LED封装技术，在基板上表面镀银，该银反射层会与进入LED封装结构的空气中的硫元素发化学反应生成黑色的硫化银。导致基板反射区域变黑，造成LED光源光通量降低。而且由于银层直接位于LED芯片下，银层反射回来的光大部分再次进入LED芯片，这就会导致LED芯片过热，影响LED的使用寿命。因此，LED封装结构的防止硫化和过热的问题已经成为LED封装技术的主要的技术问题。

实用新型内容

本实用新型针对上述现有技术存在的问题作出改进，即本实用新型要解决的技术问题是提供一种LED封装结构，这种LED封装结构提高了散热。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：

一种LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器上，所述散热器上还设有一凹槽，所述凹槽内设有镀银层。

所述LED芯片包括至少一P极与一N极，所述P极与N极分别设置于所述LED芯片上。

所述LED芯片通过共晶焊或粘胶定位于所述散热器上。

所述散热器包括绝缘层和导电层，所述绝缘层和所述导电层设置于所述散热器与所述

LED芯片之间。

所述凹槽为V型槽或者梯形槽。

本实用新型一种LED封装结构，省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长，亮度得到提升，光衰速度变慢，有效的防止了硫化，使LED向大功率照明发展的技术上升到了一个新的台阶。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型一种实施方式的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型公开一种LED封装结构，包括LED芯片21和散热器239，LED芯片21设于散热器239上，散热器239上还设有一凹槽，凹槽内设有镀银层。

芯片21的P极与N极均设置于远离散热器239的一侧，即芯片的顶部，该P极与N极直接通过超声焊分别引出。当该芯片21与芯片21间距离较短时，可用金线、铝线、铜线等通过超声焊进行连接。该散热器239由铜材料或铝材料制作。

LED芯片21通过共晶焊或粘胶定位于散热器239上。

散热器239包括绝缘层和导电层，绝缘层和导电层设置于散热器239与LED芯片之21间。

凹槽为V型槽或者梯形槽。

芯片与芯片通过超声焊进行电性连接时，为提高安全系数，线与散热器239间增加一绝缘层。导电层之上再增加一保护层，或将线放入V型槽中加以保护。V型槽设置反光层，反光层可用抛光法、涂层法，液体法，溅射法、真空镀层法(蒸化真空沉积法)、电镀、氧化方式制成。当为铝材散热器时，并通过氧化的方法制作反光层时，该氧化层进一步通过离子封孔、染色处理，提高美观效果，具有与芯片发光色相同的颜色时，提高反光效果。

当该LED封装结构包括多颗LED芯片21串并联电连接时，与电源连接线对应的LED芯片21之P极与N极由该导电层引出，非与电源连接线对应的LED芯片21之P极与N极由超声焊引出。

同时，该LED封装结构也适用于其他大功率芯片，包括不限于LED、功率集成电路、大功率稳压电源、大功率音响芯片、CPU等高功率芯片的散热封装。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。