[实用新型]有源矩阵有机电致发光器件阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种有源矩阵有机电致发光器件阵列基板和一种显示装置。 

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光器件，简称OLED)显示屏由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。 

OLED依据驱动方式的不同，可分为无源矩阵驱动(Passive Matrix，简称PM)PMOLED与有源矩阵驱动(Active Matrix，简称AM)AMOLED两种。其中，PMOLED以阴极、阳极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光，其结构简单，可以有效降低制造成本，但其驱动电压较高，不适合应用在大尺寸、高分辨率的显示面板中。AMOLED则是采用独立的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)去控制每个像素，每个像素皆可以连续且独立的驱动发光，AMOLED的驱动电压较低，寿命较长，可应用于大尺寸平板显示，但其制作工艺较为复杂，成本相对较高。AMOLED依据出光方式的不同可分为顶发射型(光从上基板射出)和底发射型(光从下基板射出)两种。 

对于电压驱动的AMOLED，从一帧的数据写入到下一帧的数据写入，薄膜晶体管的栅极电压由存储电容来维持。由于薄膜晶体管漏电流的存在，存储电容所存储的电压会逐渐减小，造成薄膜晶体管的栅极电位改变，进而影响到流过像素的电流和像素的发光亮度，为解决此问题，通常将存储电容的面积设计得足够大来增加电压的持续时间。 

如图1和图2所示，传统AMOLED阵列基板的结构中，存储电容100设计在薄膜晶体管30的栅极2与源极3之间，栅极2与源极3位置相对的部分充当存储电容100的两个极板，栅极绝缘层6充当电介质。由于栅极2与源极3材质的不透光性，大面积的存储电容100占用了很大的发光面积，从而致使像素的开口率较低(像素开口率指像素可发光面积占像素面积的比率)；其次，存储电容100的极板与栅线或数据线位于同一层，其间会产生很大的寄生电容，从而影响到数据信号的传输及准确性；再次，由于存储电容100的极板与薄膜晶体管30的源极3连接，源极3的电位与流过薄膜晶体管30的电流有关，薄膜晶体管30电流的变化也会引起源极3电位的变化，因此，极易造成数据信号的写入失真，AMOLED显示屏在点亮后会出现亮度跳变，像素的亮度不能满足灰阶信号所要求的亮度，显示效果不够理想。 

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种有源矩阵有机电致发光器件阵列基板和一种显示装置，以提高显示装置的像素开口率，提升显示品质。 

本实用新型实施例提供的有源矩阵有机电致发光器件阵列基板，包括阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括基板和位于基板上且阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括薄膜晶体管、有机电致发光器件和存储电容下极板，其中： 

所述存储电容下极板与所述薄膜晶体管的栅极电连接； 

所述有机电致发光器件的顶电极位于所述存储电容下极板的上方且与所述存储电容下极板之间通过像素界定层间隔，所述有机电致发光器件的顶电极与所述存储电容下极板位置相对的部分作为存储电容上极板。 

在本实用新型技术方案中，存储电容上、下极板之间通过像素界定层间隔，像素界定层位于存储电容上、下极板之间的部分充当存储电容的电介质，由于像素界定层本身已占用一定的发光面积，存储电容的上、下极板设置在像素界 定层的两侧无需另外再占用发光面积，因此，相比于现有技术，不透光的栅极和源极的面积可以设计的相对较小，大大提高了显示装置的像素开口率；此外，存储电容的上、下极板与薄膜晶体管的源极无电性连接，数据传输的稳定性较好，更有利于显示装置显示输入信号所要求的亮度，显示品质进一步提升。 

优选的，所述存储电容下极板与所述有机电致发光器件的底电极材质相同且位于同层。存储电容下极板与有机电致发光器件的底电极可以通过同一次构图工艺形成，不增加制造成本。 

优选的，所述存储电容下极板与所述薄膜晶体管的栅极通过第一绝缘层过孔电连接。该方案可实现存储电容下极板与栅极之间的可靠连接。进一步，存储电容的上、下极板与栅线和数据线均不同层，大大降低了寄生电容，提高了数据信号传输的准确性。