[实用新型]单元库与基于单元库形成的集成电路结构

权利要求书

1.一种单元库，其特征在于，所述单元库包括：

沿第一方向、第二方向延伸的单元区域，所述单元区域的底层包含具有有源区域、扩散区域及栅极带区域的MOS管区域；所述单元区域的导体层包含有若干导体、电源线、地线；通过设置所述单元区域的至少一个区域因子，从而在所述单元区域中的所述导体层预留至少一条第一金属走线的布线空间，其中，所述区域因子包括所述单元块中所述电源线的宽度、地线的宽度、导体的位置、导体的宽度、有源区域的位置、有源区域的尺寸中的一种。

2.根据权利要求1所述的单元库，其特征在于，所述电源线和/或地线的宽度被配置为在所述单元区域中的导体层预留至少能够容纳一条第一金属走线的布线空间。

3.根据权利要求1所述的单元库，其特征在于，所述单元区域的长度与宽度被配置为在所述单元区域中预留有至少一条第一金属走线的布线空间。

4.根据权利要求1所述的单元库，其特征在于，所述导体之间距离被配置为在所述单元区域中预留有至少一条第一金属走线的布线空间。

5.一种基于单元库形成的集成电路结构，其特征在于，其包括：于半导体衬底中定义的若干单元块，所述单元块分别包括：

沿第一方向、第二方向延伸的单元区域，所述的单元区域的底层包含具有有源区域、扩散区域及栅极带区域的MOS管区域；所述的单元区域的导体层包含有若干导体、电源线、地线；通过设置所述单元区域的至少一个区域因子，从而在所述单元区域中的所述导体层预留至少一条第一金属走线的布线空间，其中，所述区域因子包括所述单元块中所述电源线的宽度、地线的宽度、导体的位置、导体的宽度、有源区域的位置、有源区域的尺寸中的一种；

对所述若干单元块进行金属走线绕线，其中，基于所述预留的布线空间，进行第一金属走线绕线，从而实现电路功能。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其特征在于，所述电源线和/或地线的宽度被配置为在所述单元块的内部的导体层预留至少一条第一金属走线的布线空间。

7.根据权利要求5所述的集成电路结构，其特征在于，所述单元区域的长度与宽度被配置为通过拉伸以在所述单元区域中预留有至少一条第一金属走线的布线空间。

8.根据权利要求5所述的集成电路结构，其特征在于，所述导体之间的距离被配置为通过减小所述导体之间的距离以在所述单元区域中预留有至少一条第一金属走线的布线空间。