[实用新型]单片集成开关变换器及其软启电路有效
申请号: | 201420227640.1 | 申请日: | 2014-05-06 |
公开(公告)号: | CN203840199U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 李磊 | 申请(专利权)人: | 成都芯源系统有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 611731 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单片 集成 开关 变换器 及其 电路 | ||
1.一种软启电路,用于单片集成开关变换器,其特征在于,所述软启电路包括:
片上软启电压生成电路,在其输出端提供片上软启电压;
运算放大电路,具有第一输入端、第二输入端和输出端,其中第一输入端耦接至片上软启电压生成电路的输出端以接收片上软启电压,第二输入端接收软启参考信号或代表软启参考信号的反馈信号,输出端作为集成电路的一个引脚可以耦接外置软启电容;以及
缓冲电路,具有输入端和输出端,其中输入端耦接至运算放大电路的输出端,输出端提供软启参考信号;其中
当运算放大电路的输出端未耦接外置软启电容时,软启电路基于片上软启电压提供软启参考信号;以及
当运算放大电路的输出端耦接外置软启电容时,运算放大电路对外置软启电容充电以提供片外软启电压,软启电路基于片上软启电压和片外软启电压提供软启参考信号。
2.如权利要求1所述的软启电路,其特征在于,当运算放大电路的输出端耦接外置软启电容时,运算放大电路根据片上软启电压和片外软启电压自动调整对外置软启电容充电的电流大小。
3.如权利要求1所述的软启电路,其特征在于,片上软启电路还包括:
第一电流源,提供充电电流;以及
片上软启电容,耦接至第一电流源,第一电流源以充电电流对片上软启电容充电以得到片上软启电压。
4.如权利要求1所述的软启电路,其特征在于,片上软启电路还包括:
第一电流源,提供充电电流;
第二电流源,提供放电电流;以及
片上软启电容,通过第一开关耦接至第一电流源,通过第二开关耦接至第二电流源;其中
当打嗝信号处于第一状态时,第一开关导通,第二开关关断,第一电流源提供的充电电流对片上软启电容充电;以及
当打嗝信号处于第二状态时,第二开关导通,第一开关关断,第二电流源提供的放电电流对片上软启电容放电。
5.如权利要求1所述的软启电路,其特征在于,还包括:
偏置电路,在其输出端提供偏置电流,所述偏置电流通过运算放大电路对外置软启电容充电;其中
对外置软启电容充电的电流不大于偏置电流。
6.如权利要求5所述的软启电路,其特征在于,运算放大电路包括:
差分输入电路,包括第一P沟道场效应管和第二P沟道场效应管,其中第一P沟道场效应管的栅极耦接至片上软启电压生成电路的输出端,第二P沟道场效应管的栅极耦接至缓冲电路的输出端,第一P沟道场效应管和第二P沟道场效应管的源极耦接至偏置电路的输出端;
第一晶体管对,包括第一N沟道场效应管和第二N沟道场效应管,其中第一N沟道场效应管的栅极和漏极以及第二N沟道场效应管的栅极共同耦接至第一P沟道场效应管的漏极,第一N沟道场效应管和第二N沟道场效应管的源极耦接至系统地,第二N沟道场效应管的漏极耦接至运算放大电路的输出端;
第二晶体管对,包括第三N沟道场效应管和第四N沟道场效应管,其中第三N沟道场效应管的栅极和漏极以及第四N沟道场效应管的栅极共同耦接至第二P沟道场效应管的漏极,第三N沟道场效应管的源极和第四N沟道场效应管的源极耦接至系统地;以及
第三晶体管对,包括第三P沟道场效应管和第四P沟道场效应管,其中第三P沟道场效应管的栅极和漏极以及第四P沟道场效应管的栅极耦接至第四N沟道场效应管的漏极,第三P沟道场效应管和第四P沟道场效应管的源极耦接至辅助供电电压,第四P沟道场效应管的漏极耦接至第二N沟道场效应管的漏极和运算放大电路的输出端。
7.如权利要求1所述的软启电路,其特征在于,缓冲电路还包括:第五N沟道场效应管,其中第五N沟道场效应管的栅极耦接至运算放大电路的输出端,第五N沟道场效应管的漏极耦接至辅助供电电压,以及第五N沟道场效应管的源极作为缓冲电路的输出端。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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