[实用新型]一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路

权利要求书

1.一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，其特征在于：包括一启动单元，所述启动单元经负温度系数电压产生单元和正温度系数电压产生单元连接至求和单元；所述启动单元、负温度系数电压产生单元、正温度系数电压产生单元和求和单元的一端连接VDD，所述启动单元、负温度系数电压产生单元、正温度系数电压产生单元和求和单元的另一端连接GND；所述负温度系数电压产生单元还连接至求和单元；所述求和单元还连接有基准电压输出端。

2.根据权利要求1所述的一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，其特征在于：所述负温度系数电压产生单元包括第一MOS管至第十四MOS管；所述第一MOS管的漏极、第五MOS管的源极、第六MOS管的源极和第十三MOS管的源极均连接至VDD；所述第一MOS管的源极连接至第二MOS管的漏极，所述第一MOS管的源极还经第一电容连接至GND；所述第二MOS管的源极与第七MOS管的源极相连接；所述第七MOS管的漏极和栅极相连接至第十MOS管的漏极、第八MOS管的栅极和第十四MOS管的栅极；所述第五MOS管的栅极和漏极相连接至第八MOS管的源极；所述第八MOS管的漏极和第九MOS管的栅极与第十一MOS管的漏极相连接；所述第六MOS管的栅极和漏极相连接至第九MOS管的源极；所述第九MOS管的漏极与第十二MOS管的漏极、第十二MOS管的栅极、第十一MOS管的栅极和第十MOS管的栅极相连接至启动单元；所述第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极均连接至GND；所述第十三MOS管的栅极和漏极相连接至第十四MOS管的源极；所述第十四MOS管的漏极与第三MOS管的漏极相连接至求和单元；所述第三MOS管的源极连接第四MOS管的漏极，并经第二电容接至GND；所述第四MOS管的源极接GND。

3.根据权利要求2所述的一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，其特征在于：还包括一时序信号发生器；所述时序信号发生器包括输出第一时序信号的第一时序信号输出端和输出第二时序信号的第二时序信号输出端；所述第一时序信号与第二时序信号的时序互不重叠。

4.根据权利要求3所述的一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，其特征在于：所述第一MOS管的栅极和第三MOS管的栅极均连接至第一时序信号输出端；所述第二MOS管的栅极和第三MOS管的栅极均连接至第二时序信号输出端。

5.根据权利要求4所述的一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，其特征在于：所述正温度系数电压产生单元包括第十五MOS管至第十七MOS管；所述第十五MOS管的源极连接至VDD，所述第十五MOS管的栅极连接至所述第十三MOS管的栅极，所述第十五MOS管的漏极与第十六MOS管的漏极、第十六MOS管的栅极和第十七MOS管的栅极相连接；所述第十六MOS管的源极与第十七MOS管的漏极相连接至求和单元；所述第十七MOS管的源极接GND。

6.根据权利要求5所述的一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，其特征在于：所述求和单元包括第十八MOS管至第二十一MOS管；所述第十八MOS管的栅极和第二十一MOS管的栅极均连接至第二时序信号输出端；所述第十九MOS管的栅极和第二十MOS管的栅极均连接至第一时序信号输出端；所述第十八MOS管的源极连接至所述第十六MOS管的源极；所述第十八MOS管的漏极与第十九MOS管的源极经第三电容连接至GND；所述第十九MOS管的漏极与第二十MOS管的漏极相连接至基准电压输出端；所述第二十MOS管的源极与第二十一MOS管的源极经第四电容连接至GND；所述第二十一MOS管的源极连接第十四MOS管的漏极。

7.根据权利要求6所述的一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，其特征在于：所述启动单元包括第二十二MOS管至第二十四MOS管；所述第二十二MOS管的源极和第二十三MOS管的源极均连接至VDD；所述第二十二MOS管的栅极和第二十四MOS管的栅极均连接至GND；所述第二十二MOS管的漏极与第二十三MOS管的栅极相连接至第二十四MOS管的漏极和源极；所述第二十三MOS管的漏极接至第十MOS管的栅极。