[实用新型]具有安全开机功能的TD-LTE下行屏蔽器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种具有安全开机功能的TD-LTE下行屏蔽器。

背景技术

当今信息时代，通过信息技术的发展日新月异，移动通信作为通信家族中的一枝独秀，更是在人们的生活及工农业生产各个领域扮演着重要角色，但手机在给人们生活极大便利的同时，也产生一些不容忽视的问题，由于移动通信网络的覆盖面广，在有些场合网络的出现，手机的使用反而给人们带来麻烦，甚至出现安全隐患，故有些场所我们要认为破环或限制这种网络，避免移动网络带来的危害，在这种前提下信号屏蔽器应运而生。

在TD-LTE通信系统中，先用的终端信号屏蔽器是干扰特定频段的网络信号，没有分时干扰控制，用户无法接受信号也不能呼出，而干扰信号强度固定，干扰范围不便控制。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种具有安全开机功能的TD-LTE下行屏蔽器，具有安全开机保护功能，防止瞬时高压的冲击，保护屏蔽器的安全，并能够增强干扰信号，强化屏蔽功能。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种具有安全开机功能的TD-LTE下行屏蔽器，它包括开机保护单元和功能模块，供电电源通过开机保护单元与功能模块相连，所述的功能模块包括接收单元、同步信号转换单元、同步信号分析单元、数字控制中心、干扰信号生成单元、干扰信号增强单元、发射单元，接收单元顺次通过同步信号转换单元、同步信号分析单元、数字控制中心、干扰信号生成单元、干扰信号增强单元与发射单元相连。

所述的开机保护单元包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2和PMOS管，输入电压的正极与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极与PMOS管源极相连，PMOS管的栅极分别与二极管D2的阴极、电阻R1的一端相连，PMOS管的漏极分别与电阻R2的一端、输出电压的正极相连，输入电压的负极与输出电压的负极相连，同时输入电压的负极还与二极管D2的阳极、电阻R1、电阻R2相连。

所述的开机保护单元还包括电容C1、电容C2和电容C3，电容C1连接于二极管D1的阴极与二极管D2的阴极之间，电容C2连接于PMOS管的栅极与漏极之间，电容C3连接于输出电压两端。

所述的干扰信号生成单元包括顺次相连的锯齿波发生器、鉴相器、环路滤波器、压控振荡器和数模转换器。

所述的数字控制中心包括顺次相连的识别器、计数器、模数转换器和数模转换器。 

本实用新型的有益效果是：

（1）具有安全开机保护功能，使电压逐渐上升，防止了瞬时高压的冲击，保护了屏蔽器的安全，延长了屏蔽器的使用寿命。

（2）设置了干扰信号增强单元，增强了产生的干扰信号，加强了屏蔽器的屏蔽效果。

附图说明

图1为本实用新型结构框图；

图2为本实用新型开机保护单元电路图。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，一种具有安全开机功能的TD-LTE下行屏蔽器，它包括开机保护单元和功能模块，供电电源通过开机保护单元与功能模块相连，所述的功能模块包括接收单元、同步信号转换单元、同步信号分析单元、数字控制中心、干扰信号生成单元、干扰信号增强单元、发射单元，接收单元顺次通过同步信号转换单元、同步信号分析单元、数字控制中心、干扰信号生成单元、干扰信号增强单元与发射单元相连。

如图2所示，所述的开机保护单元包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2和PMOS管，输入电压的正极与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极与PMOS管源极相连，PMOS管的栅极分别与二极管D2的阴极、电阻R1的一端相连，PMOS管的漏极分别与电阻R2的一端、输出电压的正极相连，输入电压的负极与输出电压的负极相连，同时输入电压的负极还与二极管D2的阳极、电阻R1、电阻R2相连。

所述的开机保护单元还包括电容C1、电容C2和电容C3，电容C1连接于二极管D1的阴极与二极管D2的阴极之间，电容C2连接于PMOS管的栅极与漏极之间，电容C3连接于输出电压两端。

所述的干扰信号生成单元包括顺次相连的锯齿波发生器、鉴相器、环路滤波器、压控振荡器和数模转换器。

所述的数字控制中心包括顺次相连的识别器、计数器、模数转换器和数模转换器。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。