[实用新型]一种太阳能电池片的焊带有效
申请号: | 201420234074.7 | 申请日: | 2014-05-08 |
公开(公告)号: | CN203895471U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 张凤;张祥;金建安 | 申请(专利权)人: | 保利协鑫(苏州)新能源运营管理有限公司;保利协鑫光伏系统集成(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 付涛 |
地址: | 215028 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池片制作的专用工具,具体的说是一种太阳能电池片的焊带。
背景技术
目前使用的太阳能电池包括前板、太阳能电池电路、背板和密封材料。通常,太阳能电池具有这样一种结构,其中太阳能电池电路被夹在前板和背板之间,在前板与太阳能电池电路之间的间隙和在太阳能电池电路与背板之间的间隙分别用密封材料例如EVA(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)树脂密封。通过将上述前板/密封材料/太阳能电池电路/密封材料/背板采用真空层压机等加热压接,制作太阳能电池。太阳能电池吸收的能量有一部分转换成热能,导致太阳能电池内部的温度升高,而太阳能电池的温度影响太阳能电池的效率。例如,对于典型的使用晶体硅的太阳能电池,光电转换效率一般为大约17-22%,当太阳能电池的温度上升,其功率就损失。因此,为了提高太阳能电池的效率,防止太阳能电池的温度在使用过程中升高是非常重要的。
目前的焊带都是都不导热的,如何将电池片上的热量导出具有重要作用,并且如何同时最大化利用光源、降低转换过程电力损耗、减少电池片表面遮光部分提高发电转换效率,将是后期太阳能发电发展的关键。
实用新型内容
本实用新型开发了一种太阳能电池片的焊带,其目的是提供一种可导热并且同时可以提高光的利用的焊带。
一种太阳能电池片的焊带,该焊带包括焊带基体,在焊带基体的表面有一层导热层,导热层表面有纳米或亚微米尺度的微观结构。
导热层为高导热性能纳米复合金属粉体或金属氧化物,采用激光烧结的方式在其表面形成纳米或亚微米尺度的微观结构。
在其中的一个实施例中,所述的焊带为直线形状。
在其中的一个实施例中,所述的焊带为“7”字形状。
在其中的一个实施例中,所述的导热层表面的微观结构为金字塔结构。
在其中的一个实施例中,所述的焊带为镂空的。此焊带的镂空区域与太阳能电池片主栅无银浆覆盖的位置相一致。
在其中的一个实施例中,所述的焊带基体的厚度为0.01mm~0.5mm,宽度为1mm~50mm。
在其中的一个实施例中,所述的焊带基体表面的导热层的厚度为0.1μm~100μm。
本实用新型提供了一种可导热并且同时可以提高光的利用的焊带,通过焊带基体的结构,实现了同时导热和反射光的利用,并且在焊带上采用镂空的设计,进一步降低了遮光的损失,将所述的一种太阳能电池片的焊带应用于太阳能组件,有效地利用光源并控制组件的工作温度、同时降低了转换过程电力损耗,提高了太阳能组件的功率。
附图说明
图1为本实用新型一种太阳能电池片的焊带实施例1的示意图;
图2为本实用新型一种太阳能电池片的焊带实施例2的示意图;
图3为本实用新型一种太阳能电池片的焊带实施例3的示意图。
1.焊带2.焊带基体3.导热层4.微观结构5.镂空区域
具体实施方式
实施例1
一种太阳能电池片的焊带1,如图1所示,该焊带1包括焊带基体2,在焊带基体2的表面有一层导热层3,导热层3表面有纳米或亚微米尺度的微观结构4。
导热层3表面的微观结构4为金字塔结构,金字塔的宽度为3-5μm,深度为6μm。焊带基体2的厚度为0.18mm,宽度为1.2mm。焊带基体2表面的导热层3的厚度为10μm。
此焊带1为直线形,从而完成传统的电池的焊接。
焊带基体2为铜材料。
此焊带1通过等离子喷涂技术在焊带基体2表面形成导热层3,导热层3采用制备粒径为10~100nm的高导热性能纳米复合金属粉体,再用激光烧结技术在导热层3表面形成纳米或亚微米尺度的微观结构4。
高导热性能纳米复合金属粉体是锡与银或铜的两种混合物,重量比为3:1。
将此焊带应用在太阳能光伏组件,采用该焊带焊接,该光伏组件的背板采用导热背板或在背板上加冷却装置,以便组件更好地散热。
实施例2
一种太阳能电池片的焊带1,如图2所示,该焊带1包括焊带基体2,在焊带基体2的表面有一层导热层3,导热层3表面有纳米或亚微米尺度的微观结构4。
导热层3表面的微观结构4为金字塔结构,金字塔的宽度为6-7μm,深度为7μm。焊带基体2的厚度为0.23mm,宽度为1.2mm。焊带基体2表面的导热层3的厚度为50μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的