[实用新型]一种饱和甘汞电极有效
申请号: | 201420235129.6 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN203811570U | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 刘树彬 | 申请(专利权)人: | 石家庄学院 |
主分类号: | G01N27/32 | 分类号: | G01N27/32 |
代理公司: | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人: | 刘闻铎 |
地址: | 050035 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 饱和 甘汞 电极 | ||
1.一种饱和甘汞电极,包括上部的电极上端头(1)、中间玻璃管(2)和下部的端盖(4),玻璃管(2)内充满饱和KCl溶液,内部电极固定在玻璃管(2)的上端并与外接导线相连,玻璃管(2)的侧壁上设有开口(11),在开口处设置有密封帽,玻璃管(2)的末端开设有多孔陶瓷孔(7),端盖(4)套装在玻璃管(2)外侧侧壁上,其特征在于:所述的玻璃管(2)外侧侧壁固定有一圈防脱座(3),所述的防脱座(3)为玻璃管(2)的侧壁凸沿,所述的端盖(4)包括固定托(5)、密封套(6)和弹性连接部件(8),固定托(5)和密封套(6)通过弹性连接部件(8)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种饱和甘汞电极,其特征在于:在固定托(5)外侧侧壁上固定有凹槽(9),在密封套(6)外侧侧壁上固定有与凹槽(9)相匹配的凸出块(10),凸出块(10)卡扣于凹槽(9)。
3.根据权利要求1所述的一种饱和甘汞电极,其特征在于:在固定托(5)外侧侧壁上固定有凸出块(10),在密封套(6)外侧侧壁上固定有与凸出块(10)相匹配的凹槽(9),凸出块(10)卡扣于凹槽(9)。
4.根据权利要求1所述的一种饱和甘汞电极,其特征在于:所述的固定托(5)为圆环状,所述的密封套(6)为一端封闭的套管,密封套(6)套装在玻璃管(2)下端外侧侧壁上。
5.根据权利要求1所述的一种饱和甘汞电极,其特征在于:所述的防脱座(3)固定在多孔陶瓷孔(7)的上方,固定托(5)内侧壁套装在防脱座(3)上。
6.根据权利要求1所述的一种饱和甘汞电极,其特征在于:所述的防脱座(3)固定在多孔陶瓷孔(7)的上方,固定托(5)设置在防脱座(3)的上方。
7.根据权利要求1所述的一种饱和甘汞电极,其特征在于:所述的防脱座(3)外径大于固定托(5)的内径。
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