[实用新型]一种OGS触摸屏

说明书

技术领域

本实用新型涉及触摸屏领域，特别是一种OGS触摸屏。

背景技术

目前OGS电容式触摸屏普遍采用的边框工艺为丝网印刷或BM光阻剂(与ITO层在同一面)，可以基本满足OGS触摸屏的使用要求，但边框的均匀性较差、厚度较厚，对后续制造工艺带来难度，沉积ITO膜时容易因为油墨边框层的厚度形成的台阶效果造成膜层断裂，从产品的良品率不高。

发明内容

本实用新型所要达到的目的是提供一种OGS触摸屏，制作时可防止ITO膜断裂，同时可使用超过230℃的温度沉积ITO导电膜层。

为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种OGS触摸屏，其特征在于：包括金属边框层、玻璃基板、消影膜、ITO导电层，消影膜、ITO导电层设于玻璃基板上的同一面，金属边框层设于玻璃基板上相对于消影膜、ITO导电层的另一面。

进一步的，所述消影膜包括五氧化二铌层和二氧化硅层。

进一步的，所述OGS触摸屏还包括OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层，OGS触摸屏的各层依照金属边框层、玻璃基板、五氧化二铌层、二氧化硅层、ITO导电层、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层的顺序依次排列，相邻两层紧密贴合。

进一步的，所述OGS触摸屏还包括第二边框丝印层，第二边框丝印层设于第一边框丝印层上相对于保护层的另一面。两遍边框丝印后视觉效果更佳。

进一步的，所述OGS触摸屏还包括表层，表层设于金属边框层上相对于玻璃基板的另一面。

进一步的，所述表层为三氧化二铝层。

采用上述技术方案后，本实用新型具有如下优点：

金属边框层设于玻璃基板上相对于消影膜、ITO导电层所在一面的另一面，沉积ITO膜时可避免ITO膜因油墨边框层厚度形成的台阶效果断裂。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

图1为本实用新型一种实施例中各层的爆炸图。

具体实施方式

附图1所示为本实用新型的一种实施例。

一种OGS触摸屏，包括金属边框层2、玻璃基板3、五氧化二铌层4、ITO导电层6、表层1、二氧化硅层5、OC绝缘层7、金属膜层8、保护层9、第一边框丝印层10、第二边框丝印层11，五氧化二铌层4、二氧化硅层5共同构成消影膜，消影膜、ITO导电层6设于玻璃基板3上的同一面，金属边框层2设于玻璃基板3上相对于消影膜、ITO导电层6的另一面，OGS触摸屏的各层依照表层1、金属边框层2、玻璃基板3、五氧化二铌层4、二氧化硅层5、ITO导电层6、OC绝缘层7、金属膜层8、保护层9、第一边框丝印层10、第二边框丝印层11的顺序依次排列，相邻两层紧密贴合，两遍边框丝印后视觉效果更佳。

表层为三氧化二铝，即蓝宝石层，硬度高，抗划伤能力强，使用硬质材料用以保护金属边框。保护层采用二氧化硅。

上述OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板的一面使用300℃的温度(也可采用280℃、320℃或280℃-320℃中的其他取值)反应溅射沉积金属化合物TiCN(或TiN)并使用蚀刻工艺制作形成金属边框层；在金属边框层上覆盖三氧化二铝作为表层；在玻璃基板的另一面使用210℃的温度(也可采用215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉积一层五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用350℃(也可采用340℃、360℃或340℃-360℃中的其他取值)的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路；在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上使用210℃的温度(也可采用215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖一层二氧化硅作为保护层；进行两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。

金属边框层设于玻璃基板上相对于消影膜、ITO导电层所在一面的另一面，沉积ITO膜时可避免ITO膜因油墨边框层厚度形成的台阶效果断裂。

除上述优选实施例外，本实用新型还有其他的实施方式，本领域技术人员可以根据本实用新型作出各种改变和变形，只要不脱离本实用新型的精神，均应属于本实用新型所附权利要求所定义的范围。