[实用新型]薄膜晶体管及像素结构有效
| 申请号： | 201420242541.0 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN203850307U | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘恩池;陈盈惠;吕雅茹;黄彦余 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 像素 结构 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
一栅极；
一信道，与该栅极重叠；
一阻挡层，覆盖部份的该信道且具有一环状开口，该环状开口暴露出该信道的相对的二连接部；
一源极以及一漏极，部份的该阻挡层位于该源极与该信道之间以及该漏极与该信道之间，该源极以及该漏极填入该阻挡层的该环状开口而分别与该信道的该些连接部电性连接。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该阻挡层包括：
一第一阻挡图案，与该栅极以及该信道重叠；以及
一第二阻挡图案，环绕该第一阻挡图案，该第一阻挡图案与该第二阻挡图案相隔开以定义出该环状开口。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极以及该漏极由该第二阻挡图案上向该第一阻挡图案延伸至该第一阻挡图案上。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，配置于一基板上，其特征在于，该信道具有面向该阻挡层且与该基板平行的一顶面、相对于该顶面且与该基板平行的一底面以及位于该顶面与该底面之间的一侧面，该阻挡层的该环状开口暴露出该信道的该侧面，而该源极以及该漏极与该信道的该侧面接触。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，配置于一基板上，其特征在于，该信道具有面向该阻挡层且与该基板平行的一顶面、相对于该顶面且与该基板平行的一底面以及位于该顶面与该底面之间的一侧面，该阻挡层覆盖该信道的该侧面。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该环状开口包括一口字型开口。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该信道的材质包括非晶硅或金属氧化物半导体。
8.一种像素结构，包括：
一薄膜晶体管，包括：
一栅极；
一信道，与该栅极重叠；
一阻挡层，覆盖部份的该信道且具有一环状开口，该环状开口暴露出该信道相对的二连接部；
一源极以及一漏极，部份的该阻挡层位于该源极与该信道之间以及该漏极与该信道之间，该源极以及该漏极填入该阻挡层的该环状开口而分别与该信道的该些连接部电性连接；以及
一像素电极，与该薄膜晶体管的该漏极电性连接。
9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该阻挡层包括：
一第一阻挡图案，与该栅极以及该信道重叠；以及
一第二阻挡图案，环绕该第一阻挡图案，该第一阻挡图案与该第二阻挡图案相隔开以定义出该环状开口，而该第二阻挡图案与该像素电极重叠。
10.如权利要求8所述的像素结构，配置于一基板上，其特征在于，该信道具有面向该阻挡层且与该基板平行的一顶面、相对于该顶面且与该基板平行的一底面以及位于该顶面与该底面之间的一侧面，该阻挡层的该环状开口暴露出该信道的该侧面，而该源极以及该漏极与该信道的该侧面接触。
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