[实用新型]LED发光器件有效

专利信息
申请号: 201420244766.X 申请日: 2014-05-14
公开(公告)号: CN203871366U 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 梁秉文;张涛;金忠良 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: led 发光 器件
【说明书】:

技术领域

本申请涉及一种半导体发光器件,特别是涉及一种LED发光器件。

背景技术

上世纪60年代第一只LED产品在美国诞生,它的出现给人们的生活带来了很多光彩,由于LED具有寿命长、低功耗、绿色环保等优点,与之相关的技术发展得非常迅速。它已经成为“无处不在”与我们的生活息息相关的光电器件和光源,比如手机的背光,交通信号灯,大屏幕全彩显示屏和景观亮化用灯等等。

随着以GaN( 氮化镓) 材料P 型掺杂的突破为起点的第三代半导体材料的兴起,伴随着以Ⅲ族氮化物为基础的高亮度发光二级管(Light Emitting Diode,LED)的技术突破,用于新一代绿色环保固体照明光源的氮化物LED 正在成为新的研究热点。目前,LED 应用的不断升级以及市场对于LED 的需求,使得LED 正朝着大功率和高亮度的方向发展。其中研究热点之一是高压直流LED 技术,它是采用多颗芯片组成一个总发光二极管形式,即多颗LED串联形成一个LED。

目前高压LED技术属于新兴技术范畴,其技术存在如下问题:

LED芯片的出光效率有待提升,理论上用蓝光LED激发黄色荧光粉合成白光的发光效率高达每瓦300多流明,但是现在的实际效率还不到理论值的一半,大概是理论值的三分之一左右,其中一个重要原因是一部分从激活区发出的光无法从LED芯片内部逃逸出来。金属电极、芯片材料本身和基材对光的吸收和遮挡使得LED光效的损失很大。

现有的LED芯片通常通过焊接等方式与基材连接或进行串并联,这种连接方式成本高,而且不利于批量生产。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种LED发光器件,解决现有技术中LED芯片出光效率低、不利于批量生产的技术问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

本申请公开了一种LED发光器件,包括基材以及倒装于所述基材上的LED芯片,所述基材具有相对的上表面和下表面,所述上表面开设有容纳所述LED芯片的凹槽,所述凹槽的底部开设有两个通孔,所述通孔的侧壁设有电极接触件,所述基材的下表面设有导电层,所述导电层电性连接于所述电极接触件,所述LED芯片的两个电极分别插置于所述两个通孔内。

优选的,在上述的LED发光器件中,所述凹槽的开口边缘设有导引坡面。

优选的,在上述的LED发光器件中,所述基材为透明基材,所述导电层为透明导电层,所述LED芯片包括透明衬底以及形成于透明衬底上的外延层。

优选的,在上述的LED发光器件中,所述基材和透明衬底的材质选自玻璃、蓝宝石、碳化硅或有机透明体,所述导电层的材质选自氧化铟锡、氧化锌、碳纳米管或石墨烯。

优选的,在上述的LED发光器件中,所述LED芯片的两个电极的末端位于同一高度。

本申请还公开了一种LED发光器件,包括基材,所述基材具有相对的上表面和下表面,所述上表面开设有多个凹槽,所述每个凹槽内分别倒装设有一个LED芯片,所述每个凹槽的底部开设有两个通孔,所述通孔的侧壁设有电极接触件,所述基材的下表面设有导电层,所述导电层电性连接于所述电极接触件,所述LED芯片的两个电极分别插置于所述两个通孔内,所述LED芯片通过所述导电层串联和/或并联。

优选的,在上述的LED发光器件中,所述凹槽的开口边缘设有导引坡面。

优选的,在上述的LED发光器件中,所述基材为透明基材,所述导电层为透明导电层,所述LED芯片包括透明衬底以及形成于透明衬底上的外延层。

优选的,在上述的LED发光器件中,所述基材和透明衬底的材质选自玻璃、蓝宝石、碳化硅或有机透明体,所述导电层的材质选自氧化铟锡、氧化锌、碳纳米管或石墨烯。

优选的,在上述的LED发光器件中,所述LED芯片的两个电极的末端位于同一高度。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:

(1)、本实用新型的LED发光器件中,LED芯片衬底、基材、导电层的材质均采用透明材质,避免了衬底、基材和电极对出光的阻挡,实现了空间全角度的出光,提高了整体的出光效率;

(2)、LED芯片通过接插方式与基材连接,操作方便,易于大批量生产,提高大批量生产的效率。

(3)、每个LED芯片分别安装于一个凹槽内,可以将LED芯片进行分隔,电极之间不易粘连。

附图说明

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