[实用新型]双极型功率晶体管基片有效
| 申请号： | 201420245891.2 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN203826396U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王强栋;霍彩红;董军平;刘青林;秦龙;潘宏菽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极型 功率 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种双极型功率晶体管基片，其特征在于：包括晶圆片（1），所述晶圆片（1）的下表面从上到下依次设有钛金属层（2）、镍金属层（3）和金金属层（4）。
2.根据权利要求1所述的双极型功率晶体管基片，其特征在于：所述钛金属层的厚度为 。
3.根据权利要求1所述的双极型功率晶体管基片，其特征在于：所述镍金属层的厚度为。
4.根据权利要求1所述的双极型功率晶体管基片，其特征在于：所述金金属层的厚度为。
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