[实用新型]智能功率模块驱动电路及智能功率模块有效
| 申请号： | 201420247829.7 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN203911735U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 于文涛;冯宇翔 | 申请（专利权）人： | 美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 智能 功率 模块 驱动 电路 | ||
1.一种智能功率模块驱动电路，其特征在于，包括开关管驱动电路、IGBT开关管、MOS管、第一供电电源输入端、第二供电电源输入端、第一电子开关及第二电子开关；其中，
所述IGBT开关管的集电极与所述第一供电电源输入端连接，所述IGBT开关管的发射极与所述第二供电电源输入端连接，所述IGBT开关管的门极与所述开关管驱动电路连接；所述MOS管的漏极与所述IGBT开关管的集电极连接，所述MOS管的源极与所述IGBT开关管的发射极连接，所述MOS管的栅极分别与所述第一电子开关的第一端及所述第二电子开关的第一端连接；所述第一电子开关的第二端与所述IGBT开关管的门极连接；所述第二电子开关的第二端与所述MOS管的源极连接；所述第一电子开关的控制端及所述第二电子开关的控制端均与所述开关管驱动电路连接。
2.根据权利要求1所述的智能功率模块驱动电路，其特征在于，所述MOS管为NMOS管。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块驱动电路，其特征在于，所述MOS管的阈值电压大于所述IGBT开关管的阈值电压。
4.一种智能功率模块驱动电路，其特征在于，包括开关管驱动电路、IGBT开关管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一供电电源输入端及第二供电电源输入端；其中，
所述IGBT开关管的集电极与所述第一供电电源输入端连接，所述IGBT开关管的发射极与所述第二供电电源输入端连接，所述IGBT开关管的门极与所述开关管驱动电路连接；所述第一MOS管的漏极与所述IGBT开关管的集电极连接，所述第一MOS管的源极与所述IGBT开关管的发射极连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第二MOS管的源极及所述第三MOS管的漏极连接；所述第二MOS管的漏极与所述IGBT开关管的门极连接；所述第三MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接；所述第二MOS管的栅极及所述第三MOS管的栅极均与所述开关管驱动电路连接。
5.根据权利要求4所述的智能功率模块驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管为NMOS管。
6.根据权利要求5所述的智能功率模块驱动电路，其特征在于，所述第二MOS管为NMOS管，所述第三MOS管为PMOS管。
7.根据权利要求6所述的智能功率模块驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管的阈值电压大于所述IGBT开关管的阈值电压。
8.一种智能功率模块，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的智能功率模块驱动电路。
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