[实用新型]一种同步整流控制电路

说明书

技术领域

本实用新型属于同步整流技术领域，尤其涉及一种同步整流控制电路。

背景技术

同步整流技术是目前应用于开关电源领域中非常普遍的技术，其采用通态电阻极低的专用功率金属氧化层半导体场效应晶体管(以下简称MOSFET)取代二极管，以降低整流损耗。

而MOSFET的开通和关断需要通过驱动电压进行控制，而最直接有效的控制是检测通过MOSFET的电流，当有正向电流时，开通MOSFET，当无电流或有负向电流时，关断MOSFET。目前业界比较通用的技术是采用专用IC进行检测，如国际整流器公司为同步整流开发的专用芯片IR1167，如图1所示，IR1167的工作原理如下：先检测同步整流MOSFET的源极和漏极两端的电压Vs和Vd，并对电平Vs和Vd进行比较，得到电压Vds的曲线如图2所示，当电压Vds达到Vth2时，产生同步整流驱动信号，并维持一个预设的最小导通时间；当Vds达到Vth1时，同步整流驱动信号关闭，且IR1167产生自锁，防止关断所产生的振荡电压使得同步整流MOSFET误导通；当Vds达到Vth3时，IR1167复位，从而又开始下一个周期的检测控制。

然而，实用新型人在实现本实用新型的过程中发现现有技术中存在如下问题：由于IR1167直接检测MOSFET两端的电压，而MOSFET本身具有等效电感、结电容等较大的寄生参数，而需要检测的电压又是非常低的电压信号，试验中经常发现IR1167的控制无法在最理想的状态下进行工作，从而降低了同步整流的效率，而且可靠性也出现了一些问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种同步整流控制电路，以解决现有技术中采用芯片IR1167进行同步整流时出现的效率低和可靠性低的问题。

本实用新型是这样实现的，一种同步整流控制电路包括：变压器、开关管、电流采集电路、比较电路以及副边驱动电路；

所述变压器的次级绕组、所述开关管以及所述电流采集电路形成串联回路，所述电流采集电路的输出端连接所述比较电路的输入端，所述电流采集电路采集流经所述开关管的电流，并将所述电流转换为电压信号发送给所述比较电路；

所述比较电路的输出端连接所述副边驱动电路的输入端，所述比较电路将接收到的电压值与预设值进行比较，并根据比较结果输出控制信号给所述副边驱动电路；

所述副边驱动电路的输出端连接所述开关管的控制端，所述副边驱动电路根据所述控制信号输出驱动信号控制所述开关管导通或关闭。

所述开关管包括第一开关管和第二开关管，所述变压器的次级绕组包括第一次级绕组和第二次级绕组，所述第一次级绕组的一端连接所述第一开关管的漏极，所述第一开关管的栅极为第一控制端，所述第一开关管的源极接地，所述第一次级绕组的另一端连接所述第二次级绕组的一端和所述电流采集电路的输入端，所述第二次级绕组的另一端连接所述第二开关管的漏极，所述第二开关管的栅极为第二控制端，所述第二开关管的源极接地。

所述同步整流控制电路还包括原边驱动电路，所述原边驱动电路的输出端连接所述副边驱动电路的输入端，所述副边驱动电路根据所述控制信号和所述原边驱动电路输出的驱动信号输出驱动信号。

所述比较电路包括比较器，所述比较器的反相输入端连接所述电流采集电路的输出端，所述比较器的同相输入端连接预设电压。

本实用新型提供一种同步整流控制电路，通过设置电流采集电路和比较电路，可以实现对开关管同步整流的高精度控制，提高了同步整流的效率，同时提高了整个装置的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中同步整流装置的电路结构示意图；

图2是现有技术中同步整流装置的电压与时间曲线关系图；

图3是本实用新型实施例提供的一种同步整流控制电路的实施例结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的一种同步整流控制电路的另一实施例电路结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的一种同步整流控制电路的另一实施例电路结构示意图。

具体实施方式