[实用新型]激光勘查装置有效
申请号: | 201420253423.X | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN203870008U | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 李阳;杨洋 | 申请(专利权)人: | 李阳;杨洋 |
主分类号: | G01N21/01 | 分类号: | G01N21/01 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人: | 康正德;薛峰 |
地址: | 100022 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 勘查 装置 | ||
1.一种激光勘查装置,发射用于现场勘查的光束,其特征在于,包括:
多个半导体激光单元(30),以阵列方式设置在底座(10)上;
汇聚反射镜(40),设置在半导体激光单元阵列上方以反射所述多个半导体激光单元(30)发射的激光汇聚到出光口(22)以形成出射光束;和
调焦透镜部件(20),设置在所述出光口(22),调焦透镜部件(20)用于对所述出射光束进行调节。
2.根据权利要求1所述的激光勘查装置,其特征在于,
所述底座(10)具有按阵列分布的安装槽,所述半导体激光单元(30)设置在所述安装槽内;
所述半导体激光单元(30)包括:半导体激光管(301)和套设在所述半导体激光管(301)上的准直透镜(302)。
3.根据权利要求1或2所述的激光勘查装置,其特征在于,
所述汇聚反射镜(40)朝向所述半导体激光单元(30)的一面为反射镜面(41),所述反射镜面(41)呈阶梯状,所述反射镜面(41)每个阶梯面上均设置有多个抛物面反射镜(42),所述抛物面反射镜(42)的数量与所述半导体激光单元(30)的数量相同,并且每个所述抛物面反射镜(42)与每个所述半导体激光单元(30)的位置一一对应以反射所述半导体激光单元(30)发射的激光。
4.根据权利要求3所述的激光勘查装置,其特征在于,所述抛物面反射镜(42)的形状计算公式为:Y2=2PX;其中,
P为抛物面系数,范围是100mm至100mm之间;
X为所述抛物面凹陷部分的半径;
Y为所述抛物面凹陷部分的深度。
5.根据权利要求1或2所述的激光勘查装置,其特征在于,
所述汇聚反射镜(40)朝向所述半导体激光单元阵列的一面为反射镜面(41),所述反射镜面(41)呈阶梯状,所述反射镜面(41)的阶梯面与所述半导体激光单元(30)对应设置,所述反射镜面(41)的阶梯面对一排所述半导体激光单元(30)发射的激光进行反射。
6.根据权利要求2所述的激光勘查装置,其特征在于,所述汇聚反射镜(40)朝向所述半导体激光单元(30)的一面为反射镜面(41),所述反射镜面(41)呈抛物面状。
7.根据权利要求6所述的激光勘查装置,其特征在于,所述反射镜面(41)的抛物面的计算公式为:Y2=2PX;其中,
P为抛物面系数,范围是100mm至500mm之间;
X为所述抛物面凹陷部分的半径;
Y为所述抛物面凹陷部分的深度。
8.根据权利要求7所述的激光勘查装置,其特征在于,每个所述半导体激光单元(30)的激光发射方向对准所述反射镜面(41)的中心。
9.根据权利要求8所述的激光勘查装置,其特征在于,所述半导体激光单元(30)倾斜安装在所述底座(10)上,所述半导体激光单元(30)与所述底座(10)所在平面之间的安装角度为60度至120度。
10.根据权利要求1所述的激光勘查装置,其特征在于,所述激光勘查装置还包括冷却风扇(50)和电源(60),所述冷却风扇(50)连接在所述底座(10)上,所述冷却风扇(50)朝向所述半导体激光单元(30)进行吹风,所述电源(60)通过导线连接所述半导体激光单元(30)。
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