[实用新型]一种太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于：包括具有下表面和上表面的N型结晶硅片；下表面划分为交替间隔排列的若干P型区域和若干N型区域；沿远离N型结晶硅片的方向，P型区域设置有依次堆叠的本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层和第一电极层，N型区域设置有依次堆叠的N型掺杂非晶硅层和第二电极层；相邻P型区域和N型区域由绝缘隔离层隔开。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述P型区域和所述N型区域的面积比为1:2～10；相邻所述P型区域和所述N型区域间的绝缘隔离层宽度为20～100μm。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于：沿远离N型结晶硅片的方向，所述上表面依次堆叠设置有钝化层和抗反射层。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：所述本征非晶硅层的厚度为5～20nm。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于：沿平行于所述下表面的宽度方向，相邻所述P型区域、所述N型区域以及设置在相邻所述P型区域、所述N型区域间的所述绝缘隔离层的宽度和为500～2000μm。

6.根据权利要求4或5所述的太阳能电池，其特征在于：所述N型掺杂非晶硅层的厚度为5～20nm，所述P型掺杂非晶硅层的厚度为5～20nm。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于：所述N型结晶硅片的厚度为120～200μm。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于：所述钝化层的厚度为5～20nm。

9.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于：所述抗反射层的厚度为60～90nm。

10.根据权利要求7-9任一所述的太阳能电池，其特征在于：所述P型掺杂非晶硅层和所述第一电极层之间还设置有透明导电层。