[实用新型]抑制电极以及离子注入机

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体分析技术领域，特别是涉及一种抑制电极以及离子注入机。

背景技术

在半导体工艺制造过程中，需要采用离子注入机，在半导体材料的预定区域中掺杂预先确定浓度的杂质离子，从而改变该区域中的电传输特性。

一般的，离子注入机的电弧腔用于产生离子，然而，从电弧腔中激发出来的离子的方向是散乱的，无法形成离子束，所以，需要在电弧腔的外沿设置一个抑制电极（suppression electrode），将电弧腔产生离子吸引并整流为均具有特定方向的离子束流。

图1、图2为现有技术中抑制电极的示意图，如图1所示，在现有技术中，抑制电极1为具有一定厚度的板，抑制电极1中具有一缝隙11，抑制电极1具有一入射面1a。如图3所示，向抑制电极1施加电压，电弧腔产生的离子20从入射面1a进入缝隙11，部分离子20穿过缝隙11后，而完成整流过程，形成具有特定方向的离子束流20’。

然而，在现有技术中，抑制电极1只能对离子束流的形状进行调整，无法调整离子束流的方向。如图4所示，当离子20非垂直入射面流入缝隙11时，穿过缝隙11的离子20保持原来的流动方向，造成离子束流20’的方向不具有可控性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种抑制电极以及离子注入机，能够精确地控制离子束流的方向。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种抑制电极，所述抑制电极包括一入射板，所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列形成所述入射板孔，每一所述入射板分别连接一可调电压。

可选的，在所述抑制电极中，所有的所述入射板为半径相等的扇形板，每一扇形板的圆心处均具有一缺角，所有的所述扇形板排列为一圆形板，所有的所述缺角形成所述入射板孔。

可选的，在所述抑制电极中，所述入射板包括四个所述入射板。

可选的，在所述抑制电极中，所有的所述扇形的圆心角的角度均相同。

可选的，在所述抑制电极中，相邻的所述入射板间隔设置，所述间隔的宽度为1mm～5mm。

可选的，在所述抑制电极中，所述入射板的厚度为1mm～5mm。

可选的，在所述抑制电极中，所述抑制电极还包括：

后板，所述后板包括一后板孔，所述后板孔正对所述入射板孔；以及

用于连接固定所述入射板和后板的绝缘连接件。

可选的，在所述抑制电极中，所述后板孔为圆角矩形。

可选的，在所述抑制电极中，所述后板孔的宽度为3mm～8mm，所述后板孔的长度为40mm～55mm。

可选的，在所述抑制电极中，所述入射板孔为椭圆形，所述椭圆形的长轴方向对应所述圆角矩形的长度方向，所述椭圆形的短轴方向对应所述圆角矩形的宽度方向。

可选的，在所述抑制电极中，所述入射板孔的短轴直径大于等于所述后板孔的宽度，并小于等于所述后板孔的两倍宽度。

可选的，在所述抑制电极中，所述后板还包括一后板电极和一用于支撑所述后板电极的后板支架，所述后板孔设置于所述后板电极中，所述后板电极设置于所述后板支架中。

可选的，在所述抑制电极中，所述绝缘连接件连接所述后板支架。

可选的，在所述抑制电极中，所述绝缘连接件包括多个实心棒，所述实心棒的一端连接所述入射板，所述实心棒的另一端连接所述后板。

可选的，在所述抑制电极中，所述后板的厚度为5mm～15mm。

可选的，在所述抑制电极中，所述入射板与后板之间的距离为30mm～80mm。

根据本实用新型的另一面，本实用新型还提供一种离子注入机，包括如上所述的任意一种抑制电极。

与现有技术相比，本实用新型提供的抑制电极以及离子注入机具有以下优点：

在本实用新型提供的抑制电极以及离子注入机中，所述抑制电极包括一入射板，所述入射板包括至少三个入射板电极以及一入射板孔，所述至少三个入射板电极旋转排列形成所述入射板孔，每一所述入射板分别连接一可调电压，与现有技术相比，电弧腔产生的离子被吸引流入所述入射板孔，通过调整每一所述入射板电极所连接的可调电压的电压大小，改变所述入射板孔内的电场方向，从而改变所述离子的流动方向，使得流过所述入射板孔后形成的离子束流的方向具有可控性。

附图说明

图1为现有技术中抑制电极的立体图；

图2为现有技术中抑制电极的主视图；

图3为现有技术中离子垂直入射面流入缝隙时抑制电极的左视图；