[实用新型]带熔断器的电涌保护器有效

专利信息
申请号: 201420260390.1 申请日: 2014-05-21
公开(公告)号: CN203967742U 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 朱丰永 申请(专利权)人: 天津威图电气设备有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H3/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300000 天津市南开区密云路*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 熔断器 保护
【权利要求书】:

1.一种带熔断器的电涌保护器,包括带熔断器的电涌保护器基座、插拔式芯片模块,所述带熔断器的电涌保护器基座包括基座本体、进线端、保险模块、线路连接通道、芯片基座、出线端、进线插接弹性铜片、出线插接弹性铜片,所述保险模块包括保险模块壳体、保险管、加厚连接铜片、熔断指示线路板、熔断指示灯、扣盖,所述插拔式芯片模块包括:芯片模块壳体、芯片外壳、保护芯片、顶杆、顶杆弹簧、有色指示板、进线插拔头、出线插拔头、热敏开关、指示窗口、芯片进端、芯片出端,其特征在于:所述带熔断器的电涌保护器基座还包括轨道安装装置、保险弹性铜片,所述基座本体从前至后依次为进线端、保险模块、芯片基座、出线端,所述插拔式芯片模块还包括芯片模块方向定位插头,所述基座本体的内部进线端的位置设有线路连接通道,所述基座本体的下端设有轨道安装装置,所述轨道安装装置上设有可以进退定位的卡头,所述保险管穿过保险模块壳体固定安装,所述保险管的下端设有保险弹性铜片,所述扣盖将保险管压紧固定在保险模块壳体的内部,所述保险弹性铜片的下端与加厚连接铜片的一端紧密压接,所述加厚连接铜片的另一端与进线插接弹性铜片紧密压接,所述保险管的后端设有熔断指示线路板,所述熔断指示线路板上方的保险模块外壳上设有熔断指示灯,所述熔断指示灯通过电线与熔断指示线路板连接,所述进线插接弹性铜片、出线插接弹性铜片对称安装在芯片基座的凹槽内,进线插接弹性铜片与加厚连接铜片另一端紧密压接,所述出线插接弹性铜片与出线端的连接铜件紧密压接;所述芯片模块壳体的上开设有指示窗口,所述芯片模块壳体的内部指示窗口的位置设有有色指示板,所述有色指示板的下端设有芯片外壳,所述芯片外壳分为左右两个芯片腔,所述保护芯片安装在芯片外壳的内部,所述热敏开关通过导热膏紧密接触固定在保护芯片的中心,所述芯片外壳的前端设有顶杆,所述顶杆的内部设有顶杆弹簧,所述出线插拔头的上端焊接在芯片出端的下端,所述进线插拔头的上端通过顶杆焊接在芯片进端的下端,所述进线插拔头、出线插拔头的下端与进线插接弹性铜片、出线插接弹性铜片压紧连接,所述插拔式芯片模块通过进线插拔头、出线插拔头、芯片模块方向定位插头插接在芯片基座的上端。

2.按照权利要求1所述的一种带熔断器的电涌保护器,其特征在于:所述保护芯片为氧化锌压敏芯片。

3.按照权利要求1所述的一种带熔断器的电涌保护器,其特征在于:N个所述带熔断器的电涌保护器组合形成电涌保护器组,N≥1,相邻的两个所述带熔断器的电涌保护器机座之间通过铆钉固定连接。

4.按照权利要求1所述的一种带熔断器的电涌保护器,其特征在于:N个所述带熔断器的电涌保护器与一个插拔式监控模块组合形成带熔断器的电涌保护器组,N≥1,相邻的两个所述带熔断器的电涌保护器机座之间通过铆钉固定连接,所述带熔断器的电涌保护器通过电线或者线路板经过线路连接通道与监控模块连接。

5.按照权利要求1所述的一种带熔断器的电涌保护器,其特征在于:所述插拔式芯片模块的每个芯片模块壳体的内部设有一个芯片外壳,所述每个芯片外壳内设有一个保护芯片。

6.按照权利要求1所述的一种带熔断器的电涌保护器,其特征在于:所述插拔式芯片模块的每个芯片模块壳体的内部设有一个芯片外壳,所述每个芯片外壳内设有两个保护芯片。

7.按照权利要求1所述的一种带熔断器的电涌保护器,其特征在于:所述插拔式芯片模块的每个芯片模块壳体的内部设有两个芯片外壳,所述每个芯片外壳内设有一个保护芯片。

8.按照权利要求1所述的一种带熔断器的电涌保护器,其特征在于:所述插拔式芯片模块的每个芯片模块壳体的内部设有两个芯片外壳,所述每个芯片外壳内设有两个保护芯片。

9.按照权利要求1所述的一种带熔断器的电涌保护器,其特征在于:所述带熔断器的电涌保护器基座的基座本体的宽度W 范围为:17厘米-19厘米、26厘米-28厘米、35厘米-37厘米、53厘米-55厘米;所述带熔断器的电涌保护器基座的基座本体两端的高度H 范围为:40厘米-50厘米、50厘米-90厘米;所述带熔断器的电涌保护器基座的基座本体的长度 L 范围为:80厘米-90厘米、100厘米-160厘米;所述芯片模块壳体的宽度W 范围为:17厘米-19厘米、16厘米-28厘米、35厘米-37厘米、53厘米-55厘米;所述芯片模块壳体安装在基座本体上整体的高度H1 范围为:65厘米-75厘米、80厘米-100厘米;所述芯片模块壳体上部分的长度 L1 范围是:42厘米-52厘米、80厘米-120厘米。

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