[实用新型]一种局部镀银的引线框架有效
申请号: | 201420265483.3 | 申请日: | 2014-05-23 |
公开(公告)号: | CN203967073U | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 沈健 | 申请(专利权)人: | 沈健 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 225324 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 局部 镀银 引线 框架 | ||
技术领域
本实用新型涉及到一种引线框架。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。目前,更多的企业要求引线框架局部镀银,因为镀银层有很好的导热、导电和焊接性能,同时也具备防腐化的作用。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种局部镀银的引线框架。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种局部镀银的引线框架,由多个引线框单元单排组成,所述引线框单元之间通过连接筋连接,所述引线框单元包括基体和引线脚,所述基体和引线脚连接处打弯,所述基体设有粘片区,所述引线脚设有键合区,所述粘片区的左下角和键合区分别设有镀银层和镀银层。
作为本实用新型的进一步改进,所述粘片区左下角的镀银层为边长2mm的方形。
作为本实用新型的进一步改进,所述键合区的镀银层完全覆盖键合区表面,键合区长2.9±0.01mm,宽1.4±0.01mm。
作为本实用新型的进一步改进,所述引线框单元的宽度为11.405±0.015mm,基体厚度为1.3±0.02mm,引线脚厚度为0.5±0.01mm。
作为本实用新型的进一步改进,所述基体设有散热孔,散热孔直径为3.7±0.05mm。
采用上述结构,其有益效果在于:该引线框架在粘片区和键合区分别镀银,提高了导热、导电性能,易于焊接,同时具备了抗腐化的功能。
附图说明
图1为本实用新型局部镀银的引线框架的结构示意图。
图中:1-引线框单元,2-基体,3-引线脚,4-粘片区,5-键合区,6-1-镀银层,6-2-镀银层,7-散热孔。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步详细的说明。
如图1所示,一种局部镀银的引线框架,由多个引线框单元1单排组成,所述引线框单元1之间通过连接筋连接,所述引线框单元1包括基体2和引线脚3,所述基体2和引线脚3连接处打弯,所述基体2设有粘片区4,所述引线脚3设有键合区5,所述粘片区4的左下角和键合区5分别设有镀银层6-1和镀银层6-2,其中,粘片区4左下角的镀银层6-1为边长2mm的方形,键合区5的镀银层6-2完全覆盖键合区5表面,键合区5长2.9±0.01mm,宽1.4±0.01mm,所述引线框单元1的宽度为11.405±0.015mm,基体2厚度为1.3±0.02mm,引线脚3厚度为0.5±0.01mm,所述基体1设有散热孔7,散热孔7直径为3.7±0.05mm。
该引线框架在粘片区4和键合区5分别镀银,提高了导热、导电性能,易于焊接,同时具备了抗腐化的功能。
任何采用与本实用新型相类似的技术特征所设计的引线框架将落入本实用新型的保护范围之内。
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