[实用新型]智能功率模块的IGBT管驱动电路及智能功率模块

权利要求书

1.一种智能功率模块的IGBT管驱动电路，其特征在于，包括工作电压输入端、上桥臂IGBT管驱动电路、下桥臂IGBT管驱动电路、上桥臂IGBT管及下桥臂IGBT管；所述上桥臂IGBT管驱动电路和所述下桥臂IGBT管驱动电路均包括控制信号输入端和驱动信号输出端，所述上桥臂IGBT管驱动电路还包括用于调节其阀值电压的受控端；其中，

所述上桥臂IGBT管驱动电路、下桥臂IGBT管驱动电路的电源端与所述工作电压输入端连接；所述上桥臂IGBT管驱动电路和所述下桥臂IGBT管驱动电路的控制信号输入端分别与一MCU连接；所述上桥臂IGBT管驱动电路的驱动信号输出端与所述上桥臂IGBT管连接；所述下桥臂IGBT管驱动电路的驱动信号输出端所述下桥臂IGBT管连接；所述上桥臂IGBT管驱动电路的所述受控端与所述下桥臂IGBT管驱动电路的控制信号输入端连接。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块的IGBT管驱动电路，其特征在于，所述上桥臂IGBT管驱动电路包括U相上桥臂IGBT管驱动电路、V相上桥臂IGBT管驱动电路、W相上桥臂IGBT管驱动电路；所述下桥臂IGBT管驱动电路包括U相下桥臂IGBT管驱动电路、V相下桥臂IGBT管驱动电路及W相下桥臂IGBT管驱动电路；所述上桥臂IGBT管包括U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管及W相上桥臂IGBT管；所述下桥臂IGBT管包括U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管及W相下桥臂IGBT管；其中，

所述U相上桥臂IGBT管驱动电路、V相上桥臂IGBT管驱动电路、W相上桥臂IGBT管驱动电路、U相下桥臂IGBT管驱动电路、V相下桥臂IGBT管驱动电路及W相下桥臂IGBT管驱动电路的控制信号输入端分别与所述MCU的相应控制信号输出端连接；所述U相上桥臂IGBT管驱动电路、V相上桥臂IGBT管驱动电路、W相上桥臂IGBT管驱动电路、U相下桥臂IGBT管驱动电路、V相下桥臂IGBT管驱动电路及W相下桥臂IGBT管驱动电路的驱动信号输出端分别与对应的所述IGBT管连接；所述U相上桥臂IGBT管驱动电路的受控端与所述U相下桥臂IGBT管驱动电路的控制信号输入端连接；所述V相上桥臂IGBT管驱动电路的受控端与所述V相下桥臂IGBT管驱动电路的控制信号输入端连接；所述W相上桥臂IGBT管驱动电路的受控端与所述W相下桥臂IGBT管驱动电路的控制信号输入端连接。

3.根据权利要求2所述的智能功率模块的IGBT管驱动电路，其特征在于，所述U相上桥臂IGBT管驱动电路还包括高压区供电电源正端、高压区供电电源负端、双脉冲发生电路的输入控制电路、双脉冲发生电路、第一高压DMOS管、第二高压DMOS管、自举二极管、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、第一电容、第二电容、第一非门单元、第二非门单元、第三非门单元、第一施密特触发器、第二斯密特触发器、RS触发器、第一非门、第二非门、其中，

双脉冲发生电路的输入端与所述双脉冲发生电路的输入控制电路连接，双脉冲发生电路的第一输出端与第一高压DMOS管的栅极连接，其第二输出端与第二高压DMOS管的栅极连接，其电源端与所述工作电压输入端连接，其地端接地；第一高压DMOS管的衬底与源极相连并接地，其漏极经第一电阻与高压区供电电源正端连接；第二高压DMOS管的衬底与源相连并接地，其漏极经第二电阻与高压区供电电源正端连接；自举二极管的阳极与所述工作电压输入端连接，阴极与高压区供电电源正端连接；第一非门单元的输入端与第一高压DMOS管的漏极连接，且与第一二极管的阴极连接，第一非门单元的输出端经第一施密特触发器与第一非门的输入端连接；第一非门的输出端与RS触发器的S端连接；第一二极管的阳极经第一电容与第一非门单元的输出端连接；第二非门单元的输入端与第二高压DMOS管的漏极连接，且与第二二极管的阴极连接，第二非门单元的输出端经第二施密特触发器与第二非门的输入端连接；第二非门的输出端与RS触发器的R端连接；第二二极管的阳极经第二电容与第二非门单元的输出端连接；第一二极管的阳极和第二二极管的阳极还与高压区供电电源负端连接；RS触发器的输出端经第三非门单元与所述U相上桥臂驱动电路的驱动信号输出端连接。