[实用新型]一种半导体硅片手动酸腐蚀装置

权利要求书

1.一种半导体硅片手动酸腐蚀装置，其特征是：所述的一种半导体硅片手动酸腐蚀装置主要是由腐蚀槽（1）、活动提篮（3）、网状滤板（4）、网状隔板（5）、混酸供应管（7）、冷却水管（8）、压空进气管（10）、酸雾排风管（12）、腐蚀架（13）、腐蚀滚柱（14）、驱动装置（16）构成；其中腐蚀槽（1）用隔离板分隔成硅片腐蚀区（2）、热交换区（6）、循环区（9）、循环排气区（11）四个区；四个区即相互独立又相互连通，在硅片腐蚀区（2）底部设有一个带网状滤板（4）的活动提篮（3），硅片腐蚀区（2）与热交换区（6）用网状隔板（5）隔开；热交换区（6）的腔体内装有多根冷却水管（8），热交换区（6）的顶部与混酸供应管（7）连接，冷却水管（8）的进水管路上装有流量计；循环区（9）的底部装有一根带孔的压空进气管（10）；压空进气管（10）上装有流量计和压力表；循环排气区（11）的上部设有酸雾排风管（12）；腐蚀架（13）上有两根带齿的腐蚀滚柱（14），通过驱动装置（16）上的齿轮传动驱动腐蚀滚柱（14）。

2.根据权利要求1所述的一种半导体硅片手动酸腐蚀装置，其特征是：网状隔板（5）的顶部为网状圆孔结构。

3.根据权利要求1所述的一种半导体硅片手动酸腐蚀装置，其特征是：腐蚀滚柱（14）上设有凹槽（15）。