[实用新型]一种薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，具体涉及一种薄膜太阳能电池。

背景技术

太阳能电池又称为“太阳能芯片”或光电池，是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。其中，以光电效应工作的薄膜太阳能电池为主。

一般，薄膜太阳能电池迎向太阳光朝上放置，从下往上依次主要包括下封装层、基底层、背电极层、背接触层、吸收层、窗口层、上接触层和上封装层等。中国专利CN101807622A公开了一种制备碲化镉薄膜太阳能电池组件的方法，其包括如下步骤：

首先，在透明导电薄膜玻璃上沉积CdS薄膜获得“glass/TCO/CdS”；

然后，在“glass/TCO/CdS”上沉积碲化镉薄膜获得“glass/TCO/CdS/CdTe”；

然后，对“glass/TCO/CdS/CdTe”进行含氯化镉气氛下的热处理；

然后，使用激光刻划热处理后的“glass/TCO/CdS/CdTe”，刻划掉“TCO/CdS/CdTe”后进行化学腐蚀使碲化镉表面富碲；

然后，在“glass/TCO/CdS/CdTe”上刻划掉“TCO/CdS/CdTe”的刻痕上填注低温固化胶；

然后，沉积背接触层，然后进行背接触层热处理；

然后使用激光在TCO/CdS/CdTe刻痕附近刻刻划掉CdS/CdTe/背接触层；

然后，沉积金属背电极层，然后使用激光刻划掉TCO/CdS/CdTe刻痕和CdS/CdTe/背接触层刻痕附近的CdS/CdTe/背接触层/金属背电极。

即上述制备碲化镉薄膜太阳能电池组件的方法，先在透明导电层上沉积硫化镉，通过激光刻划第一沟槽；填充第一沟槽；沉积背接触层后使用激光刻划第二沟槽；沉积金属背电极后刻划第三沟槽。其中，镉元素属于稀有金属，上述制备太阳能电池组件的方法工艺步骤繁多复杂，且刻划去除CdS和CdTe的步骤多，对含镉元素的材料浪费严重，不仅对环境污染严重，而且制造成本很高。

为了解决上述技术问题，美国专利文献US2011/0290641A1公开了一种快速化学电沉积法生产太阳能电池的装置和方法，包括具有很多接触顶针的支撑结构，每个所述接触顶针都与基底层表面电接触，给所述基底层提供用于电沉积的电位(An apparatus for electrodeposition,comprising a support structure including a plurality of contact pins,each contact pin of said plurality of contact pins configure to establish electrical con tact with a substrate surface and thereby supply plating potential to the substrate)。上述装置可用于对背接触层、吸收层、窗口层、上接触层进行电沉积生产。该技术通过设置很多接触顶针，将电流通过接触顶针均匀的均匀地分布在待电沉积平板上，从而有效地将待电沉积平板的电阻降低，使得电沉积层可以分布更为均匀；但是，待电沉积完毕、移除接触顶针后，设置接触顶针的地方就会产生接触顶针孔，如果不对该接触顶针孔进行填补，太阳能电池在使用时就会产生断路，因此，需要在移除接触顶针后在接触顶针孔中填充电绝缘物质，由于电绝缘物质不参与光电转换，被称为死区，面积过大的死区将影响电池的整体转换效率。在实际生产时，后续需对单体太阳能板进行划刻沟槽和填充沟槽的工序，从而将单体太阳能板划分为串联或并联的太阳能电池组件。该太阳能电池组件由于其内部接触顶针孔中填充的电绝缘物质不参与光电转换过程，而且沟槽中的电绝缘物质也不参与光电转换过程，即不参与光电转换的面积过大，相应的使太阳能电池单位面积内参与光电转换的有效面积减小，影响了光吸收效果。

实用新型内容

为此，本实用新型所要解决的技术问题在于现有技术中的太阳能薄膜电池结构复杂，生产成本高，进而提供一种结构简单、成本低的薄膜太阳能电池。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种薄膜太阳能电池，包括堆叠对称设置的两个太阳能电池单元，以及设置在所述太阳能电池单元之间的太阳能电池封装膜；所述太阳能电池单元包括依次堆叠设置的玻璃基底、透明导电层、窗口层、吸收层、背接触层，所述太阳能电池封装膜设置在所述背接触层上。