[实用新型]一种脉冲漏磁探伤仪有效

专利信息
申请号: 201420275349.1 申请日: 2014-05-27
公开(公告)号: CN203908994U 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 王其龙;李强;刘德胜;张凯;吕希东 申请(专利权)人: 吕希东
主分类号: G01N27/83 分类号: G01N27/83
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 257237 山东省东营市河*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 脉冲 探伤
【权利要求书】:

1.一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:包括开关电源、磁化器探头、脉冲激励信号源、数据采集模块以及数据采集分析软件,所述脉冲激励信号源含信号调理电路,所述脉冲激励信号源一端与开关电源相连,另一端分别于数据采集模块、磁化器探头相连,所述数据采集模块下接数据采集分析软件,所述磁化器探头由U型磁芯骨架、激励线圈及霍尔传感器组成,所述激励线圈缠绕于磁芯线圈上,所述霍尔传感器安装在U型磁芯骨架管脚中间。 

2.根据权利要求1所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:所述开关电源采用NES-200-12型稳压电源。 

3.根据权利要求1所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:所述U型磁芯骨架为铁氧体。 

4.根据权利要求1所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:所述U型磁芯骨架高为31.7mm宽为59mm,磁芯直径为15.8mm。 

5.根据权利要求1所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:所述激励线圈匝数为200匝,激励线圈直径为0.75mm。 

6.根据权利要求1所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:所述脉冲激励源部分包括FPGA电路、隔离驱动电路、MOSFET斩波电路、低压大电流电源、键盘及显示屏。 

7.根据权利要求6所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:所述MOSFET斩波电路型号为IRF1010。 

8.根据权利要求6所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:所述显示屏为LCD2864液晶模块,具有128x64个点的分辨率,内部设有ST792O显示驱动芯片。 

9.根据权利要求1所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:所述采集模块包括数据采集卡,所述采集卡采样频率为数字信号最高频率的5至10倍。 

10.根据权利要求1所述的一种脉冲漏磁探伤仪,其特征在于:还包括被测磁件,所述被测磁件为磁件、硅橡胶、钢板中的任意一种。 

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