[实用新型]一种多个IGBT模块的并联大功率驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电力半导体应用技术领域；特别是涉及一种多个IGBT模块的并联大功率驱动电路。

背景技术

IGBT模块(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(Bipolar Junction Transistor-双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transi场效应管）的高输入阻抗和GTR（Giant Transistor巨型晶体管）的低导通压降两方面的优点。

随着电力、电子技术不断飞速发展及应用领域的不断扩大，电力半导体IGBT模块器件在家用电器、交通运输、电力、可再生能源、不间断电源、功率变换等重大应用领域不断发挥着其自身的优势，其发展前景很好。

限于半导体工艺技术条件，各生产厂家推出IGBT模块器件的电压和电流还很有限，远远不能满足行业的需求，为了输出更大的电流，通常的解决方案是把多个IGBT模块并联使用，由于工艺上的不一致性，导致每个IGBT模块具有不一致性，如，开通时间、关断时间、饱和压降、门极门槛电压和内部芯片杂散电感等，这就决定了并联的IGBT模块不可能完全同时开通，同时关断，很难保证IGBT模块的电流均衡，如果IGBT模块的驱动信号不一致，就更能加重这种情况，流过电流较大的IGBT模块就会因为发热严重而烧毁。并且当IGBT的数量增多时，出现各种故障情况的可能性进一步增大，对于IGBT模块的保护就显得尤为重要。

图1是传统型多个IGBT并联驱动电路；如图1所示，传统型IGBT模块驱动电路采用多个控制信号，每个控制信号又经过各自的变压器隔离、推挽电路、门极电阻后再驱动IGBT模块，控制信号经过这些环节后会产生较大的不一致，导致IGBT模块的均流问题更加严重，IGBT模块的并联就很难实现。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种多个IGBT模块并联大功率驱动电路。

本实用新型所采用的技术方案是，一种多个IGBT模块并联大功率驱动电路，包括，推挽电路电源10、推挽电路单元20、脉冲隔离变压器单元30、IGBT模块的触发单元40、IGBT模块单元50和IGBT模块单元的短路与温度检测单元60；所述推挽电路单元20通过IGBT模块的触发单元40与IGBT模块单元50电连接，脉冲隔离变压器单元30通过IGBT模块单元的短路与温度检测单元60与IGBT模块单元50电连接，推挽电路电源10为推挽电路单元20提供电力。所述推挽电路单元20由若干个相同的推挽电路组成，推挽电路电源10的输出为±15V电压，推挽电路电源10的输出分别与若干个相同的推挽电路并联电连接。

所述的IGBT模块的触发单元40，包括，若干个相同的门极电阻，所述每个推挽电路的输出分别通过每个门极电阻分别与IGBT模块单元50电连接

所述脉冲隔离变压器单元30，包括，隔离变压器T1和窄脉冲检测电路，IGBT模块单元50的控制信号通过窄脉冲检测电路与隔离变压器T1的原边电连接，隔离变压器T1的副边的一端分别与若干个相同的推挽电路的输入端并联电连接，隔离变压器T1的副边的另一端通过IGBT模块单元的短路与温度检测单元60与IGBT模块单元50电连接。IGBT模块单元50的控制信号为光信号通信时，在窄脉冲检测电路的前端增加一个光电转换电路。

本实用新型的有益效果是，采用高、低压安全隔离、一个推挽电路的电源并联驱动多个IGBT模块和具有短路和温度实时检测功能相结合的技术方案，有效防止线路干扰，实现低成本、高可靠性的多个IGBT模块大功率的驱动输出。

附图说明

图1是传统型多个IGBT模块并联驱动电路；

图2是本实用新型多个IGBT模块并联大功率驱动电路的组成示意图；

图3是本实用新型多个IGBT模块并联大功率驱动电路。

图中：

10、 推挽电路电源 20、推挽电路单元

30、 脉冲隔离变压器单元 40、IGBT模块的触发单元

50、IGBT模块单元60、IGBT模块单元的短路与温度检测单元。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明：