[实用新型]抗干扰的电容式麦克风

权利要求书

1.抗干扰的电容式麦克风，包括声电转换模块，所述声电转换模块的一端电连接一场效应管的栅极G，所述声电转换模块的另一端与所述场效应管的源极S短接，所述场效应管的漏极D与所述源极S之间并联有抗干扰电路，所述抗干扰电路与所述漏极D电连接的一端电连接信号输出端子，所述抗干扰电路与所述源极S电连接的一端电连接接地端子，其特征在于，所述抗干扰电路包括同时并联在所述漏极D和所述源极S之间的电容C1和电容C2，还包括串联在所述漏极D与所述信号输出端子之间的磁珠FB1，及串联在所述源极S与所述接地端子之间的磁珠FB2。

2.根据权利要求1所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述磁珠FB1串联在所述漏极D与所述电容C1的一端之间，所述磁珠FB2串联在所述源极S与所述电容C1的另一端之间。

3.根据权利要求1所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述磁珠FB1串联在所述电容C2的一端与所述信号输出端子之间，所述磁珠FB2串联在所述电容C2的另一端与所述接地端子之间。

4.根据权利要求2或3所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述磁珠FB1和所述磁珠FB2的规格均为100MHz，100Ω～1800Ω。

5.根据权利要求4所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述电容C1和所述电容C2的容值均为10pF～100pF。

6.根据权利要求5所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述电容C1的容值为10pF，所述电容C2的容值为33pF。

7.根据权利要求5所述的抗干扰的电容式麦克风，其特征在于，所述电容C1的容值为33pF，所述电容C2的容值为100pF。