[实用新型]生长在Cu衬底的GaN薄膜有效
| 申请号： | 201420289061.X | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN204204895U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 cu 衬底 gan 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.生长在Cu衬底的GaN薄膜，其特征在于，包括Cu衬底、AlN缓冲层和GaN薄膜，所述AlN缓冲层生长在Cu衬底上，所述GaN薄膜生长在AlN缓冲层上。
2.如权利要求1所述生长在Cu衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为30-50nm，所述GaN薄膜的厚度为100-300nm。
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