[实用新型]一种生长在金属Al衬底上的LED外延片有效
| 申请号： | 201420289063.9 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN203895485U | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 金属 al 衬底 led 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长在金属Al衬底上的LED外延片，其特征在于：其包括金属Al衬底、以金属Al衬底(111)晶面为外延面，在金属Al衬底上生长的Al2O3保护层，以及以晶体外延取向关系为GaN(0001)//Al2O3(0001)//Al(111)，在Al2O3保护层上由下自上生长的U-GaN薄膜层、N-GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层、p型GaN薄膜。
2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于：所述保护层的厚度为15-25nm，所述N-GaN薄膜层的厚度为3-6μm。
3.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于：所述InGaN/GaN多量子阱层包括7个周期生长的7层InGaN阱层和7层垒层，所述InGaN为阱层和层垒层交错叠加；每层InGaN阱层厚度为2-4nm，每层垒层厚度为10-15nm。
4.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于：所述p型GaN薄膜的厚度为320-360nm。
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