[实用新型]一种生长在金属Al衬底上的AlN薄膜有效
| 申请号： | 201420289179.2 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN204189815U | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 金属 al 衬底 aln 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长在金属Al衬底上生长的AlN薄膜，其特征在于：其包括Al衬底，Al衬底上生长的Al2O3保护层以及在Al2O3保护层上外延生长的AlN薄膜层；其中Al2O3保护层与AlN薄膜层晶体外延取向关系为AlN的0001面//Al2O3的0001面//Al的111面。
2.根据权利要求1所述的生长在金属Al衬底上生长的AlN薄膜，其特征在于：所述Al2O3保护层的厚度为15-25nm。
3.根据权利要求1所述的生长在金属Al衬底上生长的AlN薄膜，其特征在于：所述Al衬底的厚度为1-2nm。
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