[实用新型]双向触发二极管芯片

权利要求书

1.一种双向触发二极管芯片，其特征在于，包括： 

形成于一衬底正面上的外延层； 

形成于所述衬底与外延层之间的埋层； 

形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区； 

形成于所述基区中的发射区；以及 

贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽。 

2.如权利要求1所述的双向触发二极管芯片，其特征在于，所述埋层、外延层、发射区的导电类型相同，所述衬底、隔离槽、基区、电阻区、发射区的导电类型相同，所述埋层、外延层、基区、发射区构成双极型晶体管，所述衬底、埋层构成第一二极管，所述二极管掺杂区、埋层、外延层构成第二二极管，所述衬底、隔离槽构成第一电阻，所述电阻区构成第二电阻。 

3.如权利要求2所述的双向触发二极管芯片，其特征在于，所述埋层、外延层、发射区的导电类型是N型，所述衬底、隔离槽、基区、电阻区、二极管掺杂区的导电类型是P型。 

4.如权利要求2所述的双向触发二极管芯片，其特征在于，还包括： 

形成于所述衬底背面的背面电极； 

覆盖所述外延层的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述发射区、二极管掺杂区以及隔离槽的开口；以及 

形成于所述衬底正面的正面电极，所述正面电极通过所述开口与所述发射区、二极管掺杂区以及隔离槽连接。