[实用新型]沟槽型IGBT器件

权利要求书

1.一种沟槽型IGBT器件，在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区（1）和终端保护区（2），有源区（1）位于半导体基板的中心区域，终端保护区（2）环绕包围有源区（1）；在所述IGBT器件的截面上，所述半导体基板具有相对的第一主面和第二主面，第一主面和第二主面之间包括第一导电类型漂移层，在半导体基板的第二主面设置第二导电类型集电区，第二导电类型集电区与集电极金属（10）欧姆接触；在所述终端保护区（2），第一导电类型漂移层中设置第二导电类型主结、第二导电类型分压环和第一导电类型截止区，在第一主面上设置绝缘介质层（18）、栅极引出金属（24）和截止区金属场板（26）；其特征是：在所述有源区（1），第一导电类型漂移层内设置交替分布的第二导电类型体区和第二导电类型缓冲区，第二导电类型体区和第二导电类型缓冲区被沟槽型栅电极隔离；所述沟槽型栅电极包括沟槽、设置于沟槽内壁表面的栅氧化层（14）和填充于沟槽内腔的多晶硅栅电极（15）；所述第二导电类型体区和第二导电类型缓冲区分别与栅氧化层（14）接触；所述第二导电类型体区的深度小于沟槽的深度，第二导电类型缓冲区的深度大于沟槽的深度、并且第二导电类型缓冲区包围沟槽的底部；在所述第二导电类型体区上部设置第一导电类型发射区，第一导电类型发射区位于沟槽侧部；在所述第一主面上设置绝缘介质层（18）和发射极金属（19），发射极金属（19）分别与第二导电类型体区和第一导电类型发射区欧姆接触，第二导电类型缓冲区和发射极金属（19）之间由绝缘介质层（18）相隔离。

2.如权利要求1所述的沟槽型IGBT器件，其特征是：在所述终端保护区（2），所述第二导电类型主结、第二导电类型分压环和第一导电类型截止区位于第一导电类型漂移层的上部，绝缘介质层（18）和截止区金属场板（26）设置于第一主面，绝缘介质层（18）中设置多晶硅场板（23），绝缘介质层（18）上表面设置栅极引出金属（24），栅极引出金属（24）与多晶硅场板（23）接触，截止区金属场板（26）与第一导电类型截止区接触。

3.如权利要求1所述的沟槽型IGBT器件，其特征是：所述第二导电类型体区与第二导电类型缓冲区不接触。

4.如权利要求1所述的沟槽型IGBT器件，其特征是：所述第二导电类型集电区为连续的或不连续的；当第二导电类型集电区不连续时，第一导电类型漂移层与集电极金属（10）欧姆接触。

5.如权利要求1所述的沟槽型IGBT器件，其特征是：在所述第一导电类型漂移层底部设置第一导电类型缓冲层，第二导电类型集电区与第一导电类型型缓冲层同时与集电极金属（10）形成欧姆接触。