[实用新型]一种用于管式PECVD的进气装置有效
申请号: | 201420301189.3 | 申请日: | 2014-06-09 |
公开(公告)号: | CN203923368U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 韩帅君;勾宪芳 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 徐莹 |
地址: | 212000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 pecvd 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,具体涉及一种管式PECVD。
背景技术
现代社会随着能源问题的逐渐突出,太阳能作为一种可再生能源在现代能源结构中扮演着越来越重要的角色,而晶体硅太阳能电池在整个太阳能行业中,不论是从转换效率还是产量方面均占据着绝对的优势。
作为晶体硅太阳能电池制作中的一个重要环节,镀膜是降低电池片表面反射率、提高太阳能电池效率的一道重要工序。常见的太阳能电池镀膜方式主要采用等离子化学气相沉积(PECVD)方式进行,一般设备分为管式PECVD和板式PECVD。
相比板式PECVD,管式PECVD在效率方面具有一定的优势。在管式PECVD中,装载有硅片的石墨舟进入炉管后,特气(NH3、SiH4)通过进气装置进入石英炉管中,并在外加电场的作用下电离,生成Si3N4附着于硅片表面。Si3N4的厚度和折射率在一定条件时,镀膜后硅片的反射率最低,能够最大限度的吸收太阳光用来产生电能。常规的管P进气方式是从炉口进气,进入的气体由于会受到石墨舟的阻碍,在整个石墨舟内的分布存在不均匀状况,进而导致生产的Si3N4厚度和折射率不均匀,产生色差,影响电池片的外观。为了改善这种进气方式导致的色差状况,我们需要一种使气体在石墨舟内更加均匀分布的进气装置。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种保证进气均匀的用于管式PECVD的进气装置。
技术方案:本实用新型所述的一种用于管式PECVD的进气装置,石墨舟置于炉管中,紧贴炉管外壁设有弧形进气管,弧形进气管沿炉管壁表面设有直通炉内的进气小孔,所述进气小孔正对石墨舟上的石墨舟片之间的缝隙,所述弧形进气管上设有总进气管;特气通过总进气管进入弧形进气管,在弧形进气管内部进行再分布,然后通过进气小孔均匀的进入石墨舟中。
进一步,所述进气小孔沿炉管的径向通向炉内;由于石墨舟在炉管中沿轴向延伸,石墨舟片竖直且相互平行的设置在石墨舟上,硅片紧贴石墨舟片插入,因此进气小孔沿径向方向可保证通入的特气能充分与硅片的平面接触,进入石墨舟的特气的均匀性强,从而使特气在硅片表面均匀分布,能够一定程度上减少PECVD色差片的产生。
优选的,所述进气小孔的孔径为1mm;该尺寸可保证通过小孔后特气的压力损失较小,使气体在传输的过程中衰减在可控范围内,进而保证气体在整个炉管内部均匀分布。
进一步,中空的所述弧形进气管焊接在炉管壁上,通过焊接的方式固定,能够保证进气管的稳定性,避免由于进气管的移位造成小孔方向的变化,保证进入炉管其他的均匀性。
进一步,所述弧形进气管、总进气管及炉管是由石英制成的,由于石英制品中的金属杂质含量极少,可以避免高温过程中金属杂质进入硅片影响硅片的质量。
有益效果:本实用新型可以使特气通过总进气管进入炉管上的弧形进气管中,在弧形进气管中进行再分布,然后通过进气小孔进入炉管内的石墨舟,均匀的充斥在石墨舟片之间的缝隙中,在硅片表面均匀分布,能够一定程度上减少PECVD色差片的产生。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面对本实用新型技术方案进行详细说明,但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
实施例:一种用于管式PECVD的进气装置,如图1所示,包括石英的弧形进气管2、总进气管4及炉管1,紧贴炉管1外壁焊接有沿圆周方向的弧形进气管2,中空的弧形进气管2沿炉管1壁的表面设有直通炉内的进气小孔3,进气小孔3的孔径为1mm,进气小孔3沿炉管1的径向通向炉内,圆柱形的总进气管4通过焊接的方式与弧形进气管2相连接,将石墨舟在炉管1中的摆放方向放置成使得进气方向与硅片所在平面平行。
特气通过圆柱形的总进气管4进入中空的弧形进气管2,在弧形进气管2内部进行再分布,然后通过位于弧形进气管2紧贴炉管1壁的弧形表面的均匀进气小孔3进入石英炉管1内。与现有技术相比,通过该进气装置,特气沿硅片所在的平面方向进气,能够有效的避免石墨舟对特气的遮挡,使特气在硅片表面分布的更加均匀。
如上所述,尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型,但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下,可对其在形式上和细节上作出各种变化。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的