[实用新型]功率器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是指一种具有良好的散热和抗电磁干扰性能的功率器件。

背景技术

作为电子行业应用最为广泛的电气元件之一，功率器件正沿着大功率化、高频化、高集成化的方向发展，故而，其是否具有良好的散热和抗电磁干扰设计就成为了影响功率器件工作性能和使用寿命的关键因素。图1为现有技术的功率器件的结构示意图，该功率器件包括有一散热片10、一设置于该散热片10之上且与该散热片10绝缘隔离的载片11、一通过焊锡12而设置于该载片11上的芯片13及一包覆该载片11和芯片13的封装体14，其中，该芯片13通过引线15而与引脚16形成电气连接。此类结构的功率器件存在如下两方面的问题：一者，芯片13工作时所产生的热量主要通过载片11并经由散热片10而散发出去，由于受到载片11和散热片10的尺寸限制，且散热途径单一，导致功率器件的散热效果不佳；二者，功率器件并未设计有屏蔽结构以防止外部电磁辐射对于芯片13的电磁干扰，外部电磁辐射容易对芯片13的工作造成负面影响。

故而，有需要对现有功率器件的结构进行改善，以满足市场上的使用需求。

发明内容

本实用新型在于解决现有功率器件所存在的散热和抗电磁干扰性能不佳的技术问题，提供一种具有良好散热效果、可有效防止外部电磁干扰的功率器件。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下所述的技术方案：一种功率器件，包括有一框架、一芯片及一封装体，其中，所述框架包括有一载片、至少一位于所述载片上方的第一散热片及至少一连结所述载片边缘和第一散热片边缘的侧板；所述芯片设置于所述载片上且处于所述第一散热片的正下方，并通过引线而与所述框架的引脚形成电气连接；所述封装体包覆所述载片、第一散热片、侧板及芯片。

上述功率器件中，自所述第一散热片的边缘向下延伸形成有至少一侧翼片。

上述功率器件中，所述侧翼片的下端抵接于所述载片。

上述功率器件中，所述封装体对应于所述第一散热片的上表面处形成有一开口，以露出所述第一散热片的上表面。

上述功率器件中，所述框架采用金属材料制备。

上述功率器件中，所述框架采用铜制备。

上述功率器件中，自所述载片的后边缘向上延伸而形成所述侧板，自所述侧板的上边缘向前延伸而形成所述第一散热片。

上述功率器件中，所述第一散热片的左右边缘分别向下延伸而各形成有一侧翼片。

上述功率器件中，所述功率器件还包括有一第二散热片，所述载片设置于所述第二散热片之上，并于所述载片和第二散热片之间形成一绝缘层。

上述功率器件中，所述绝缘层的厚度为0.3～0.8mm。

本实用新型的有益技术效果在于：藉由该第一散热片及侧板的设置，增加了整个器件的散热面积，提高了功率器件的散热效果，同时，使得该芯片处于由载片、第一散热片及侧板所围成的空间中，可以屏蔽外部电场，防止外部电磁辐射对于芯片的干扰，如此，有利于保证功率器件的工作性能，并延长功率器件的使用寿命。

附图说明

图1是现有功率器件的结构示意图。

图2是本实用新型功率器件的剖视结构示意图。

图3是本实用新型功率器件的分解结构示意图。

图4是本实用新型功率器件的框架的结构示意图。

图5是本实用新型功率器件的框架的另一些实施例的结构示意图。

图6是用于测试不同结构功率器件的散热器的温升曲线图。

具体实施方式

为使本领域的普通技术人员更加清楚地理解本实用新型所要解决的技术问题、技术方案和有益技术效果，以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步的阐述。

参阅图2至图4，在一些实施例中，该功率器件包括有一框架20、一芯片30及一封装体40，其中，该框架20包括有一载片21、一位于该载片21上方的第一散热片22及一连结该载片21边缘和第一散热片22边缘的侧板23，该芯片30设置于该载片21上且处于该第一散热片22的正下方，并通过引线31而与该框架20的引脚24形成电气连接，该封装体40包覆该载片21、第一散热片22、侧板23及芯片30。一般地，该芯片30通过焊锡32而固定于该载片21之上。