[实用新型]一种半导体制冷器件有效
| 申请号： | 201420306709.X | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN204029870U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 时平;张华;胡彦亮;郭峰;陈粤海;马良 | 申请（专利权）人： | 四川航天系统工程研究所 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 伍孝慈 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体制冷器件，包括半导体制冷片，其特征在于：所述半导体制冷片由上基板和下基板，以及位于上基板和下基板之间的多组P-N结半导体组成，所述上基板与下基板的空隙处填充有具有隔热绝缘作用的气凝胶层。
2.根据权利要求1所述的一种半导体制冷器件，其特征在于：所述气凝胶层为二氧化硅气凝胶层。
3.根据权利要求1所述的一种半导体制冷器件，其特征在于：所述P-N结半导体为碲化铋P-N结半导体。
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