[实用新型]一种生长在Si图形衬底上的LED外延片有效
| 申请号： | 201420307767.4 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN203910840U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 图形 衬底 led 外延 | ||
1.一种生长在Si图形衬底上的LED外延片，其特征在于：其包括Si图形衬底，所述Si图形衬底的晶体取向为(111)，其上分布有若干个形状相同的图形凸起；在所述Si图形衬底上依次生长有AlN缓冲层、AlGaN步进缓冲层、u-GaN层、n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层及p-GaN层；在每个图形凸起的顶部形成有空洞。
2.根据权利要求1所述的生长在Si图形衬底上的LED外延片，其特征在于:所述AlGaN步进缓冲层包含三层，由下而上依次为：第一AlGaN层、第二AlGaN层和第三AlGaN层；其中，第一AlGaN层的厚度为80-150nm；第二AlGaN层的厚度为100-200nm；第三AlGaN层的厚度为200-300nm；第一AlGaN层、第二AlGaN层和第三AlGaN层中Al的掺杂量依次降低。
3.根据权利要求1所述的生长在Si图形衬底上的LED外延片，其特征在于:所述图形凸起的排布方式为矩形排布或六边形排布。
4.根据权利要求1所述的生长在Si图形衬底上的LED外延片，其特征在于:所述图形凸起为半球或圆锥，其高度H为1-1.2μm，边距d为1-3μm，底宽w为1.5-3μm。
5.根据权利要求1所述的生长在Si图形衬底上的LED外延片，其特征在于:所述空洞分布在图形凸起的顶部，空洞高度h为10-100nm。
6.根据权利要求1所述的生长在Si图形衬底上的LED外延片，其特征在于:所述u-GaN层厚度为1-1.5μm。
7.根据权利要求1所述的生长在Si图形衬底上的LED外延片，其特征在于:所述AlN缓冲层的厚度为10-100nm。
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